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单选题
CsCl单位晶胞中的“分子数”为1,Cs+填充在Cl-所构成的()空隙中。
A

全部四面体

B

全部八面体

C

全部立方体

D

1/2八面体


参考答案

参考解析
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考题 速率分布函数 的物理意义为(  )。 A、 具有速率v的分子数占总分子数的百分比 B、 速率分布在v附近的单位速率间隔中的分子数占总分子数的百分比 C、 具有速率v的分子数 D、 速率分布在v附近的单位速率间隔中的分子数

考题 f(v)是麦克斯韦速率分布函数,n是单位体积内所具有的分子数,则nf(v)dv的物理意义是( )。A.单位体积内速率为v的分子数目 B.单位体积内速率为v的分子数占总分子数的比率 C.单位体积内分子速率在v→v+dv间隔内的分子数占总分子数的比率 D.单位体积内,分子速率在v→v+dv区间中的分子数目

考题 每个体心立方晶胞中的原子数为()。A、2B、4C、6

考题 关于速率分布函数f(v)的物理意义,下列哪个叙述是正确的?A、具有速率v的分子占总分子数的百分比B、速率分布在v附近的单位速率间隔中的分子数占总分子数的百分比C、具有速率v的分子数D、速率分布在v附近的单位速率间隔中的分子数

考题 在麦克斯韦速率分布律中,速率分布函数f(ν)的意义可理解为()。A、速率大小等于ν的分子数B、速率大小在ν附近的单位速率区间内的分子数C、速率大小等于ν的分子数占总分子数的百分比D、速率大小在ν附近的单位速率区间内的分子数占总分子数的百分比

考题 在麦克斯韦速率分布律中,速率分布函数的物理意义可理解为()。A、速率为v的分子数B、速率在v附近的单位速率区间的分子数C、速率等于v的分子数占总分子数的比率D、速率在v附近的单位速率区间的分子数占总分子数的比率

考题 CsCl晶体是由Cs+和Cl-的简单立方交错(重叠1/8)排列而成。

考题 NaCl型离子化合物晶胞中正负离子配位数为6,ZnS型离子化合物晶胞中正负离子配位数为(),CsCl型离子化合物晶胞中正负离子配位数为()

考题 每个CsCl晶胞中含有4个Cs+和4个Cl-。

考题 在体心立方晶体结构中,晶胞中的原子数为()个。A、2B、4C、6

考题 在一定温度下,某一元弱酸电离度等于2%的是()。A、未电离的分子数与已电离的分子数之比为49∶1B、未电离的分子数与已电离的分子数之比为50∶1C、未电离的分子数与溶液中离子总数之比为50∶1D、未电离的分子数与溶液中离子总数之和为电离前分子数的两倍

考题 在单位晶胞的CaF2晶体中,其八面体空隙和四面体空隙的数量分别为()A、4,8B、8,4C、1,2D、2,4

考题 每个CsCl晶胞中含有1个Cs+和1个Cl-。

考题 速率分布函数f(v)的物理意义为:()A、具有速率v的分子占总分子数的百分比.B、速率分布在v附近的单位速率间隔中的分子数占总分子数的百分比.C、具有速率v的分子数.D、速率分布在v附近的单位速率间隔中的分子数.

考题 NaCl单位晶胞中的“分子数”为4,Na+填充在Cl-所构成的()空隙中。A、全部四面体B、全部八面体C、1/2四面体D、1/2八面体

考题 填空题由N个晶胞常数为a的晶胞所构成的一维晶格,其第一布里渊区边界宽度为(),电子波矢的允许值为()的整数倍。

考题 填空题以NaCl晶胞中(001)面心的一个球(Cl-离子)为例,属于这个球的八面体空隙数为(),所以属于这个球的四面体空隙数为()。

考题 单选题NaCl单位晶胞中的“分子数”为4,Na+填充在Cl-所构成的()空隙中。A 全部四面体B 全部八面体C 1/2四面体D 1/2八面体

考题 单选题在单位晶胞的CaF2晶体中,其八面体空隙和四面体空隙的数量分别为()A 4,8B 8,4C 1,2D 2,4

考题 单选题面心立方结构每个晶胞中八面体间隙数为()。A 4B 8C 2D 1

考题 问答题CsCl晶体结构中,Cs+为立方体配位,此结构中Cl-是作最紧密堆积吗?

考题 问答题说明最紧密堆积原理,并说明晶胞中球个数与空隙个数的关系。

考题 单选题NaCl晶体单位晶胞中的“分子”数为()A 2B 4C 6D 8

考题 填空题NaCl晶胞中Cl-离子作()最紧密堆积,Na+填充()面体空隙的100%,以(001)面心的一个球(Cl-离子)为例,属于这个球的八面体空隙数为(),所以属于这个球的四面体空隙数为(),正负离子配位数为(),配位多面体之间共()连接,单个晶胞占有正负离子的数目为()。

考题 单选题CsCl单位晶胞中的“分子数”为1,Cs+填充在Cl-所构成的()空隙中。A 全部四面体B 全部八面体C 全部立方体D 1/2八面体

考题 填空题CsCl结构中,Cs+与Cl-分别构成()格子。

考题 问答题以NaCl晶胞为例,试说明面心立方紧密堆积中的八面体和四面体空隙的位置和数量。

考题 填空题CsCl型离子晶体负离子属于简单立方,其配位数为(),所占空隙为立方体,所占空隙分数为()。