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判断题
干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法,湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件,例如大于3微米。
A
对
B
错
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解析:
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考题
单选题刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程,其基本目标是()。A
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考题
问答题什么是干法刻蚀?什么是湿法刻蚀?比较二者的优缺点。
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