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对于基区为均匀掺杂的npn晶体管，分别绘制在正向放大偏置、反向放大偏置、截止、过饱和这四种状态下发射区、基区、集电区的少子分布示意图。
参考答案和解析
由p=n i e -ψ/V T 有 $由 和式(1)并利用爱因斯坦关系得到 上式两边乘以N a ，并对x从x到x B 积分，得到 在大多数实际的平面晶体管中，基区复合是可以忽略的，因此，在积分中I n 取为常数．对于正向有源模式，把边界条件n p (x B )=0代入上式，得到基区内电子分布 (2)$在x=0处利用n p (0)=n p0 e V E /V T ，并用n p (0)p p (0)= ，p p (0)=N a (0)，得到n p0 (0)= /N a (0)，求得 (3)$为了计算基区输运因子，先把整个基区复合电流取为 根据基区输运因子的定义 将式(2)代入并使用 ，便得到 (4)
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考题
为了保证三极管的电流放大,一方面要满足内部条件即基区掺杂少厚度小,另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、()。
A.集电结正向偏置B.集电极反向偏置C.集基极正向偏置D.集电结反向偏置
考题
为了保证三极管的电流放大．一方面要满足内部条件即基区掺杂少厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、（）。A、集电结正向偏置B、集电极反向偏置C、集基极正向偏置D、集电结反向偏置
考题
造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。（）A、基区电导调制效应，发射区有偏压效应B、基区有偏压效应，发射区电导调制效应C、基区电导调制效应，基区有偏压效应D、发射区有偏压效应，基区有偏压效应
考题
为保证NPN型三极管工作在放大状态，必须使（）；A、必须使三极的集电结处于正向偏置而发射结处于反向偏置；B、必须使三极的发射结处于正向偏置而集电结处于反向偏置；C、必须使三极的发射结处于反向偏置而集电结处于正向偏置；
考题
单选题无论是PNP型还是NPN型三极管，工作在放大状态时其条件是（）A
发射结正向偏置，集电结反向偏置B
发射结反向偏置，集电结正向偏置C
发射结正向偏置，集电结正向偏置D
发射结反向偏置，集电结反向偏置
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