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体管分为三层分别为：发射区、基区和（）。

  • A、集电区
  • B、收集区
  • C、放大区
  • D、扩张区

参考答案

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考题 晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()
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考题 晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 晶体管具备电流放大的内部条件是()。 A.基区薄而其杂质浓度低B.基区杂质浓度高C.降低发射区杂质浓度D.加强电子在基区的复合
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考题 晶体管的内部结构分为三个区,即发射区、基区和集电区;两个结为发射和集电结。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 晶体管的内部结构分为三个区，即发射区、基区和集电区；两个结为发射和集电结。
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考题 晶体管分为三层分别为（）A、发射区B、放大区C、集电区D、基区E、扩张区
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考题 每一类晶体管都是由基区、发射区和（）三个不同的导电区域构成的。
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考题 晶体三极管是由（）个PN结组成，分成基区、发射区、集电区.
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考题 晶体管热噪声主要存在于（）电阻内。A、基区B、发射区C、集电区D、发射区和集电区
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考题 晶体管具备电流放大的内部条件是（）。A、基区薄而其杂质浓度低B、基区杂质浓度高C、降低发射区杂质浓度D、加强电子在基区的复合
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考题 下列关于晶体三极管说法证确的是（）。A、发射区与基区交界处的PN结为发射结B、基区与集电区交界处的PN结为发射结C、发射区与基区交界处的PN结为集电结D、发射区与集电区交界处的PN结为集电结
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考题 晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。A、内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B、内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C、外部条件，发射结正偏，集电结反偏D、外部条件，发射结反偏。集电结反偏
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考题 叙述晶体三极管电流的传输过程（）。A、发射区向基区注入载流子过程B、少数载流子，在基区扩散与复合过程C、集电区收集载流子的过程D、基区向发射区注入载流子过程
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考题 造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。（）A、基区电导调制效应，发射区有偏压效应B、基区有偏压效应，发射区电导调制效应C、基区电导调制效应，基区有偏压效应D、发射区有偏压效应，基区有偏压效应
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考题 晶体三极管从结构上划分，有如下：（）。A、发射区B、基区C、集电区D、放大区
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考题 无论是NPN型管还是PNP型管，它们内部均含有三个区，即发射区、基区和（）。
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考题 三极管有（）型和（）型两种结构，三极管中集电区与基区之间的PN结称为（）结，基区与发射区之间的PN结成为（）结。
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考题 晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
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考题 三极管最薄的区是（）。A、发射区B、集电区C、基区
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考题 半导体三极管工作过程中（）。A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。
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考题 晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。
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考题 三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。A、集中结B、集成结C、集电结D、集合结
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考题 三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射结和（）。A、集中结B、集成结C、集电结
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考题 填空题每一类晶体管都是由基区、发射区和（）三个不同的导电区域构成的。
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