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刻蚀的工艺要求中最重要是刻蚀图形的保真度好，分辨率高。

参考答案和解析
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考题 刻蚀方法有哪些?() A.化学刻蚀B.离子刻蚀C.电解刻蚀D.以上均不是
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考题 分别写出刻蚀及去PSG的工艺控制流程？
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考题 反应离子腐蚀是（）。A、化学刻蚀机理B、物理刻蚀机理C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
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考题 干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？
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考题 刻蚀工艺有哪两种类型？简单描述各类刻蚀工艺。
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考题 微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A、干法刻蚀、湿法刻蚀B、离子束刻蚀、激光刻蚀C、溅射加工、直写加工D、以上都可以
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考题 （）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。A、刻蚀速率B、刻蚀深度C、移除速率D、刻蚀时间
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考题 大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。A、薄膜厚度B、图形宽度C、图形长度D、图形间隔
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考题 刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A、选择性B、均匀性C、轮廓D、刻蚀图案
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考题 在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。A、刻蚀B、氧化C、淀积D、光刻
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考题 微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
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考题 硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）A、体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工B、体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工C、体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构
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考题 问答题定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？
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考题 单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A a.离子束刻蚀、激光刻蚀B b.干法刻蚀、湿法刻蚀C c.溅射加工、直写加工
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考题 单选题刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。A  有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状B  在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形C  变成刻蚀介质以形成一个凹槽D  在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用
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考题 判断题通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。A 对B 错
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考题 判断题大马士革工艺的重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。A 对B 错
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考题 单选题无刻蚀镀铁是为了（）而出现的镀铁新工艺。Ⅰ.提高镀铁质量；Ⅱ.发展镀铁工艺；Ⅲ.克服刻蚀处理的缺点；Ⅳ.提高镀铁效率；Ⅴ.简化工艺。A Ⅰ＋Ⅲ＋ⅤB Ⅰ＋Ⅳ＋ⅤC Ⅱ＋Ⅲ＋ⅤD Ⅱ＋Ⅳ＋Ⅴ
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考题 填空题圆筒式等离子刻蚀的（），适用于（）工艺；反应离子刻蚀，（），可以用通入不同的工艺气体，实现好的选择性，适合于对（）和（）的刻蚀。
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考题 填空题光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（）于负胶的分辨率；光刻胶越薄，分辨率越（）。
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考题 填空题刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。
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考题 判断题对于大马士革工艺，重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。A 对B 错
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考题 单选题硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。A a.体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工；B b.体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工；C c.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构；
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考题 判断题在各向同性刻蚀时，薄膜的厚度应该大致大于或等于所要求分辨率的三分之一。如果图形所要求的分辨率远小于薄膜厚度，则必须采用各向异性刻蚀。A 对B 错
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考题 问答题刻蚀工艺的目的是什么，这个区中最常用的设备是什么？
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考题 填空题微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
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考题 问答题从刻蚀工艺上可以将刻蚀分为什么种类？
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考题 判断题高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。A 对B 错
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