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反应离子腐蚀是()。
- A、化学刻蚀机理
- B、物理刻蚀机理
- C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
参考答案
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考题
硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于()A、体刻蚀加工对基体材料进行加工,而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工B、体刻蚀加工不对基体材料进行加工,而面刻蚀加工对衬底材料进行加工C、体刻蚀加工可获得高纵横比的结构,而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构
考题
单选题刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程,其基本目标是()。A
有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状B
在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形C
变成刻蚀介质以形成一个凹槽D
在大于3微米的情况下,混合发生化学作用与物理作用
考题
单选题硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于()。A
a.体刻蚀加工对基体材料进行加工,而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工;B
b.体刻蚀加工不对基体材料进行加工,而面刻蚀加工对衬底材料进行加工;C
c.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构,而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构;
考题
判断题通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。A
对B
错
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