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反应离子腐蚀是()。

  • A、化学刻蚀机理
  • B、物理刻蚀机理
  • C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合

参考答案

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考题 简述干法刻蚀的物理作用和化学作用。

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考题 微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种()。A、干法刻蚀、湿法刻蚀B、离子束刻蚀、激光刻蚀C、溅射加工、直写加工D、以上都可以

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考题 由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的,所以其()就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。A、刻蚀速率B、选择性C、各向同性D、各向异性

考题 刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,()是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度,并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A、选择性B、均匀性C、轮廓D、刻蚀图案

考题 在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是()。A、刻蚀B、氧化C、淀积D、光刻

考题 硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于()A、体刻蚀加工对基体材料进行加工,而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工B、体刻蚀加工不对基体材料进行加工,而面刻蚀加工对衬底材料进行加工C、体刻蚀加工可获得高纵横比的结构,而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构

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考题 单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种()。A a.离子束刻蚀、激光刻蚀B b.干法刻蚀、湿法刻蚀C c.溅射加工、直写加工

考题 单选题刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程,其基本目标是()。A  有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状B  在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形C  变成刻蚀介质以形成一个凹槽D  在大于3微米的情况下,混合发生化学作用与物理作用

考题 填空题圆筒式等离子刻蚀的(),适用于()工艺;反应离子刻蚀,(),可以用通入不同的工艺气体,实现好的选择性,适合于对()和()的刻蚀。

考题 问答题列出在干法刻蚀中发生刻蚀反应的六种方法?

考题 问答题哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅?描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

考题 判断题在刻蚀中用到大量的化学气体,通常用氟刻蚀二氧化硅。A 对B 错

考题 填空题在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是()、()和()。

考题 填空题刻蚀剖面指的是(),有两种基本的刻蚀剖面()刻蚀剖面和()刻蚀剖面。

考题 问答题简述反应离子刻蚀。

考题 单选题电子刻蚀加工主要是通过热效应对工件进行加工,而离子刻蚀加工主要是通过()效应对工件进行加工。A 撞击B 溅射C 注入D 撞击、溅射

考题 单选题硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于()。A a.体刻蚀加工对基体材料进行加工,而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工;B b.体刻蚀加工不对基体材料进行加工,而面刻蚀加工对衬底材料进行加工;C c.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构,而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构;

考题 判断题离子注入的能量远低于离子刻蚀和离子溅射沉积。A 对B 错

考题 问答题湿法刻蚀和干法刻蚀的区别?

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