考题
硅二极管的正向导通压降和锗二极管的一样大。()
此题为判断题(对，错)。
考题
在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。
考题
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
考题
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。A、大B、小C、相等D、无法判定
考题
（）是衡量二极管质量优劣的重要参数，值越小，质量越好。A、正向电流B、反向饱和电流C、反向电流D、反向饱和电流
考题
二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3Ｖ，锗管0.5-0.7Ｖ。
考题
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
考题
在判断被测二极管是硅管还是锗管，一般情况下是通过测量（）来判断的。A、正向电阻B、正向电流C、反向电阻D、正向导通电压
考题
实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。
考题
锗二极管的正向压降通常为（）。A、0.3v左右B、0.5v左右C、0.6v左右D、0.7v左右
考题
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（），正向压降将（）。
考题
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
考题
在相同温度下，硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的（）
考题
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
考题
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
考题
硅二极管的正向电阻（）锗二极管的正向电阻。A、大于B、小于C、等于D、无法确定
考题
单选题锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）。A
0.4VB
0.5VC
0.6VD
0.7V
考题
单选题在判断被测二极管是硅管还是锗管，一般情况下是通过测量（）来判断的。A
正向电阻B
正向电流C
反向电阻D
正向导通电压
考题
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
判断题二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。A
对B
错
考题
填空题硅二极管的正向电压降一般为（）左右;锗二极管的正向电压一般为（）左右。