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1、P型区和N型区的交界面称为（）。

A．冶金结面

B．表面

C．结面

D．界面

参考答案和解析
冶金结面;结面
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考题 PN结是()形成的。 A、将P型和N型半导体掺杂B、在交界面上，多数载流子分别向对方扩散C、在交界面上，少数载流子分别向对方扩散D、多数载流子与少数载流子相互扩散
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考题 NPN型和PNP型三极管的主要区别是()。A、由两种不同材料构成B、掺入的杂质不同C、P区和N区的位置不同D、放大倍数不同
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考题 利用半导体技术的()工艺,将P型半导体和N型半导体结合在一起,则其交界面便会形成一个PN结。 A、发散B、节流C、扩散D、蒸发
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考题 PN结的正向接法是P型区接电源的()极,N型区接电源的()极。
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考题 PN结加正向偏置是指()。 A.P区接电源负极，N区接电源正极B.P区接电源正极，N区接电源负极C.P区和N区都接电源正极
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考题 A.图（1）是P型，图（2）是N型 B.图（1）是N型，图（2）是N型 C.图（1）是P型，图（2）是P型 D.图（1）是N型，图（2）是P型
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考题 PN结P区的电位高于N区的电位称为（），简称正偏，此时电流从P区流到N区，PN结呈低阻性，所以电流大。A、加反向电压B、加反向电流C、加正向电压D、加正向电流
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考题 怎样区分N型半导体和P型半导体（）A、N型半导体掺入5价元素，P型半导体掺入3价元素B、N型半导体掺入3价元素，P型半导体掺入5价元素C、N型半导体和P型半导体的掺杂相同，但接头不同D、N型半导体的空穴过剩，P型半导体的空穴不
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考题 用特殊工艺把P型和N型半导体结合在一起，在它们交界面上形成的特殊（）称做PN结。
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考题 由两个N区夹着一个P区，漏极电流是由P区中空穴形成的这种结构的管子，我们称其为N型沟道场效应管。
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考题 晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料（N型或P型）构成的，所发射极和集电极可以互换。
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考题 在N型半导体和P型半导体的交界面附件形成的具有特殊导电性能的薄层称为（）。
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考题 n型电气设备仅限于（）危险环境使用。A、0区B、1区C、2区D、3区
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考题 PN结呈现正向导通的条件是：（）A、P区电位低于N区电位B、N区电位低于P区电位C、P区电位等于N区电位D、都不对
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考题 NPN型和PNP型三极管的区别是（）。A、由两种不同的材料硅和锗构成B、掺入的杂质不同C、P区和N区的位置不同D、放大倍数不同
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考题 太阳能电池片被掺杂了磷的那部分称为（）。A、耗尽区B、N区C、P-N结D、P区
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考题 异质结太阳能电池的结构是在P型基片上，覆盖一层n型顶区层，两者的交界面构成一个异质结，然后在顶区层下面制作栅状金属电场，正背制作底面金属电极。
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考题 当PN结及附近被光照时，若光子能量大于材料禁带宽度将会产生电子空穴对，在内电场作用下，电子、空穴分别漂移到（）和（），使P端电势（）N端电势（），以下正确的是（）A、P区；N区；升高；降低B、N区；P区；升高；降低C、N区；P区；降低；升高D、P区；N区；降低；升高
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考题 防雷器的最佳放置位置是（）。A、通信设备的机柜顶部B、机房的电缆入口处C、LPZ0区和LPZ1区的交界面或LPZ0区和LPZ2区的交界面D、DDF架上
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考题 NPN型和PNP型晶体管的区别是（）A、由两种不同材料硅和锗制成的B、渗入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同
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考题 CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
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考题 晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体（N型或P型）构成，所以发射极和集电极可以相互调换使用。
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考题 单选题利用半导体技术的（）工艺，将P型半导体和N型半导体结合在一起，则其交界面便会形成一个PN结。A 发散B 节流C 扩散D 蒸发
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考题 单选题防雷器的最佳放置位置是（）。A 通信设备的机柜顶部B 机房的电缆入口处C LPZ0区和LPZ1区的交界面或LPZ0区和LPZ2区的交界面D DDF架上
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考题 填空题IN型光电二极管的结构分为（）层，P区和N区之间较厚的一层是（）半导体。
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考题 填空题PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。
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考题 单选题当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对。在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负，这种效应称为光生伏特效应。A P区；B N区；C 结区；D 中间区。
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考题 填空题N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
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