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在什么条件下，金属和半导体接触形成电子阻挡层？

A．金属和n型半导体接触，Wm＞Ws

B．金属和n型半导体接触，Wm＜Ws

C．金属和p型半导体接触，Wm＞Ws

D．金属和p型半导体接触，Wm＜Ws

参考答案和解析
金属和 n型半导体接触，Wm＞Ws
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考题 点接触型二极管由于金属丝和半导体的接触面很小,所以形成的电容()。 A、较大B、较小C、很大D、很小
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考题 什么是PN结？为什么有时又称为耗尽层和阻挡层？
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考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
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考题 什么是阻挡层金属？阻挡层材料的基本特征是什么？哪种金属常被用作阻挡层金属？
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考题 在铜互连中，为什么要用铜扩散阻挡层？阻挡层分成哪几种，分别起什么作用？
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考题 半导体金属都有自由电子空穴。
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考题 半导体和金属实现欧姆接触的条件是什么？
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考题 在硅（或锗）本征半导体中掺入微量的（）元素，就形成了主要由自由电子导电的电子型半导体，即n型半导体。A、三价B、四价C、五价
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考题 在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。A、晶圆顶层的保护层B、多层金属的介质层C、多晶硅与金属之间的绝缘层D、掺杂阻挡层E、晶圆片上器件之间的隔离
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考题 二极管是P型半导体和N型半导体结合在一起，在交界面（）。A、PN结B、耗尽层C、连接层D、阻挡层E、耗尽层F、扩散层
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考题 点接触型二极管由于金属丝和半导体间接触面很小，所以形成的电容就（）。A、很大B、很小C、较大D、不确定
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考题 N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（）A、电子B、三价硼元素C、五价磷元素
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考题 什么是电阻应变计的灵敏度系数，金属应变计和半导体应变计在工作原理上有什么不同？
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考题 在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（）A、P型半导体，其少子为自由电子B、N型半导体，其多子为自由电子C、P型半导体，其少子为空穴D、N型半导体，其多子为空穴
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考题 P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的。A、电子B、三价硼元素C、五价磷元素
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考题 自然界物质按导电能力分为（）三种。纯净的半导体又称为（）半导体，用的最多的半导体是硅和锗，它们都具有晶体结构，在纯净半导体中掺入三阶元素后形成空穴P型半导体，掺入五价元素后形成电子N型半导体，半导体受（）的影响最大。
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考题 请问哪个条件不是腐蚀电池发生的必须条件？（）A、有两种电位不同的金属B、存在电介质溶液C、两种金属直接接触D、在阳极和阴极间形成电子通路
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考题 将一块N型半导体和一块P型半导体相互接触，在其接触面上会形成一个PN结。
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考题 V族杂质在硅锗中电离，故放出电子产生导电导子形成正电中心，称为（），释放电子的过程称为（）。依靠（）的半导体称为n型半导体。
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考题 填空题金属的电化学腐蚀中，金属和周围介质（）接触时，在金属和介质界面发生有电子转移的（），而使金属受到破坏。
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考题 问答题什么是阻挡层金属？阻挡层材料的基本特征是什么？哪种金属常被用作阻挡层金属？
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考题 填空题金属-半导体接触分：（）三种。当半导体衬底浓度 低于（）时，只能产生（），当半导体衬底浓度 高于（）时 可实现（）。
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考题 问答题请问晶体原胞中的电子数目为奇数时，相应的晶体是金属，半导体，还是绝缘体？为什么？
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考题 问答题金属在什么条件下可以形成无限固溶体？
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考题 问答题半导体材料的载流子是什么？若在半导体硅中掺入有三个价电子的元素，形成何种类型半导体？五价？
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考题 问答题什么是阻挡层金肩？阻挡层材料的基本特性是什么？哪种金属常被用做阻挡层金属？
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考题 问答题地层的接触关系有哪几种？各具有什么特征？各是在什么条件下形成的？
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考题 问答题金属-半导体接触时，请基于溢出功大小阐述接触电效应假
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