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U-Boot中擦除flash存储器的命令是 ()
参考答案和解析
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考题
下面关于半导体存储器的叙述中,错误的是A.DRAM是指动态随机存取存储器B.SRAM是指静态随机存取存储器C.EPROM 是一种只读存储器了内容一经写入就不能再被擦除D.Flash Memory既具有非易性,又能快速擦除和重写
考题
在单片机存储器扩展中2764是()性质的存储器。
A、是随机存储器,一般在系统中作为数据存储器使用B、为只读存储器,在系统中作为程序存储器使用C、为电擦除型存储器,在系统中可作程序或数据存储器使用D、为快速擦除存储器
考题
在各种存储器中,闪速存储器是一种电可擦可编程的只读存储器,与E2PROM相比其特点是(8)。A.擦除和读出速度较快,可擦字节擦除B.擦除和读出速度较快,只能按数据块擦除C.擦除和读出速度较慢,只能按数据块擦除D.擦除和读出速度较慢,可按字节擦除
考题
进行存储解决方案选择时,以下说法错误的是(13)。A.NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B.NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些C.NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D.NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作
考题
进行存储解决方案选择时,以下说法错误的是______。A.NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B.NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些C.NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D.NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作A.B.C.D.
考题
下列有关Flash存储器的描述,不正确的是()A、Flash存储器属于非易失的存储器B、Flash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同C、Flash存储器的写操作与SDRAM存储器的写操作基本相同D、Flash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息
考题
单选题下列有关Flash存储器的描述,不正确的是()A
Flash存储器属于非易失的存储器B
Flash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同C
Flash存储器的写操作与SDRAM存储器的写操作基本相同D
Flash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息
考题
单选题MHDD中,scan的命令是()。A
扫描B
擦除C
修复D
高级擦除
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