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晶体管工作在放大区时，发射结为____

A．正向偏置

B．反向偏置

C．零偏置

D．无

参考答案和解析
第一空： A 第二空： D 第三空： B 第四空： E
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考题 当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uCuBuE。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 晶体管工作在放大区时,发射结处于()。 A、正向偏置B、反向偏置C、正偏或反偏D、不能确定
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考题 晶体管工作在放大状态时,必须满足外加电压发射结(),集电结()。
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考题 共发射极电路实现放大的条件?_________ A.晶体管必须工作在放大区。发射结正偏，集电结反偏B.正确设置静态工作点，使晶体管工作于放大区C.输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流D.输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电极电压，经电容耦合只输出交流信号
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考题 共发射极电路的放大区描述正确的?_________ A.发射结处于正向偏置B.集电结处于反向偏置C.晶体管工作于放大状态也称为线性区D.放大区具有电流放大作用
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考题 NPN型晶体管工作在放大状态时，其发射极电压与发射极电流的关系为（　　）。
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考题 晶体管的发射结正偏时，晶体管一定工作在放大状态。
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考题 当晶体管的发射结与集电结都处于正相偏置时晶体管将工作在（）A、截止区B、放大区C、饱和区
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考题 晶体管工作在放大区才正常，工作在饱和、截止区就不正常。
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考题 晶体管在放大区工作时基极静态工作电流为（）。A、IB＝0B、IB0C、IB0
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考题 晶体管工作在放大区时，各极电压为（）A、集电结正偏，发射结反偏B、集电结反偏，发射集正偏C、集电结，发射结均反偏D、集电结，发射结均正偏
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考题 晶体管的内部结构分为三个区，即发射区、基区和集电区；两个结为发射和集电结。
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考题 晶体三极管工作在放大区时，集电结（），发射结应（）。
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考题 晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管（）。A、发射结为反向偏置B、集电结为正向偏置C、始终工作在放大区
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考题 欲使晶体管工作在放大区，则外电路所加电压必须使晶体管的发射结（）偏，同时使集电结（）偏。
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考题 当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uC（）uB（）uE。
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考题 当晶体管的发射结和集电结都处于正偏状态时，晶体管一定工作在饱和区。（）
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考题 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结（）、集电结（）。
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考题 三极管工作在放大区时， 应使发射结处于（）， 集电结处于（）。
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考题 双极型晶体管工作在放大区偏置条件是（）增强型N沟道的场效应管工作在放大区的偏置条件是（）。
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考题 晶体管工作在饱和区时，发射结（），集电结（）；工作在放大区时，集电结（），发射结（）。（填写a正偏，b反偏，c零偏）
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考题 三极管工作在饱和区时，发射结为（），集电结为（），工作在放大区时，发射结为（），集电结为（），此时，流过发射结的电流主要是（），流过集电结的电流主要是（）。
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考题 当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区。
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考题 晶体管（三极管）有（）、（）、（）等三种工作状态，三极管饱和时，其发射结为（）偏置，集电结为（）偏置。
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考题 单选题晶体管工作在放大区时，各极电压为（）A 集电结正偏，发射结反偏B 集电结反偏，发射集正偏C 集电结，发射结均反偏D 集电结，发射结均正偏
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考题 单选题晶体管工作在放大区的条件是（）。A 发射结正向偏置，集电结反向偏置B 发射结反向偏置，集电结正向偏置C 发射结正向偏置，集电结正向偏置D 发射结反向偏置，集电结反向偏置
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考题 单选题当晶体管的发射结与集电结都处于正相偏置时晶体管将工作在（）A 截止区B 放大区C 饱和区
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