网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）

4、对晶圆进行背面减薄的技术称为 （）

A．磨片

B．切片

C．削薄

D．刮层

参考答案和解析
磨片
更多 “4、对晶圆进行背面减薄的技术称为 （）A．磨片B．切片C．削薄D．刮层” 相关考题
考题 徒手赴救技术中的背面接近是救生员对溺水者进行直接赴救的接近技术中最为安全的一种技术。此题为判断题(对，错)。
查看答案
考题 当列管式换热器腐蚀严重,外壳壁厚减薄时,应当进行补焊。() 此题为判断题(对，错)。
查看答案
考题 输气管线因腐蚀穿孔或壁厚减薄等，称为（）腐蚀。
查看答案
考题 在介质的作用下，容器的表面或晶界面所产生的使其壁厚减薄机械性能下降，承载能力不够而发生的破坏，称为（）A、塑性破坏B、脆性破坏C、疲劳破坏D、腐蚀破坏
查看答案
考题 徒手赴救技术中的背面接近是救生员对溺水者进行直接赴救的接近技术中最为安全的一种技术。
查看答案
考题 对RTP来说，很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后，滑移现象变得更为严重，这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的？
查看答案
考题 非晶合金铁芯变压器的非晶合金单片厚度（），表面平坦度低，铁芯填充系数较低。A、极薄B、较薄C、较厚D、极厚
查看答案
考题 强度较低或较薄的石材应背面粘贴（）。
查看答案
考题 钢板热卷后的减薄量约为原厚度的3%～4%。
查看答案
考题 弯管的外侧壁厚减薄和弯曲失圆是弯管工艺的必然结果，问题在于控制其不超标。（）
查看答案
考题 集成电路的主要制造流程是（）A、硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试B、硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路C、晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路D、硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
查看答案
考题 单相流体对流传热技术的物理机制可概括为（）。A、破坏或减薄流体速度边界层B、使边界层形成稳定的层流C、促使或加剧液体湍动D、减薄热边界层
查看答案
考题 在半导体制造中，熔断丝可以应用在（）。A、MOS栅极B、保护性元件C、电容器极板D、制造只读存储器PROME、晶圆背面电镀
查看答案
考题 管道弯曲时的减薄量（）A、当R≥5D减薄量≤10%B、当R〈5D减薄量≤（50D/R）%C、当R≥5D减薄量≤（50D/R）%D、当R〈5D减薄量≤10%
查看答案
考题 印刷晶背面粘脏的发生取决于（）对油墨同着的影响。A、印版B、橡皮布C、纸张D、印刷速度
查看答案
考题 弯管的外侧壁厚减薄和弯曲段失圆是弯管工艺的必然结果，问题在于控制其不超标。
查看答案
考题 弯管质量有（）A、圆度B、不确定C、波纹度D、璧厚减薄量
查看答案
考题 单选题在介质的作用下，容器的表面或晶界面所产生的使其壁厚减薄机械性能下降，承载能力不够而发生的破坏，称为（）A 塑性破坏B 脆性破坏C 疲劳破坏D 腐蚀破坏
查看答案
考题 多选题弯管质量有（）A圆度B不确定C波纹度D璧厚减薄量
查看答案
考题 多选题单相流体对流传热技术的物理机制可概括为（）。A破坏或减薄流体速度边界层B使边界层形成稳定的层流C促使或加剧液体湍动D减薄热边界层
查看答案
考题 问答题什么是晶圆？晶圆的材料是什么？
查看答案
考题 填空题输气管线因腐蚀穿孔或壁厚减薄等，称为（）腐蚀。
查看答案
考题 判断题具有显晶和隐晶结构的岩石，其矿物均已结晶，故又统称为局部晶质结构。A 对B 错
查看答案
考题 单选题集成电路的主要制造流程是（）A 硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试B 硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路C 晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路D 硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
查看答案
考题 填空题低级晶族晶体属于二轴晶，二轴晶光率体是一个（）。它有三个相互垂直的主轴，其长短分别代表（）三个折射率，包含两个主轴的切面称为（），在二轴晶光率体上有三个这样的切面，分别为NgNm面、NgNp面、NmNp面。在二轴晶光率体上也可以找到两个圆切面，垂直圆切面中心的直线称为光学法线，平行此直线入射的光不产生双折射，包含上述二直线的切面称为光轴面。
查看答案
考题 问答题晶圆的英文是什么？简述晶圆制备的九个工艺步骤。
查看答案
考题 判断题变质岩中，由矿物重结晶而形成的结构称为变晶结构，其中的晶粒称为变晶，变晶的大小必须是均等的，粒径为固定的。A 对B 错
查看答案
考题 多选题管道弯曲时的减薄量（）A当R≥5D减薄量≤10%B当R〈5D减薄量≤（50D/R）%C当R≥5D减薄量≤（50D/R）%D当R〈5D减薄量≤10%
查看答案
热门标签
最新试卷