网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)

8、晶体管的发射区和集电区均为同种类型的半导体,所以发射极和集电极可以调换使用。


参考答案和解析
×
更多 “8、晶体管的发射区和集电区均为同种类型的半导体,所以发射极和集电极可以调换使用。” 相关考题
考题 三极管的发射区和集电区是同类型半导体,因此,发射极和集电极是可以互换使用的。() 此题为判断题(对,错)。

考题 NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。

考题 晶体管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体(N型的或P型的)构成,故E极和C极可以互换使用。() 此题为判断题(对,错)。

考题 晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。() 此题为判断题(对,错)。

考题 晶体管的内部结构分为三个区,即发射区、基区和集电区;两个结为发射和集电结。() 此题为判断题(对,错)。

考题 三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的,故发射极和集电极可以互换使用。

考题 PNP三极管工作特点是().A、发射区发射电子,集电区收集电子B、发射区发射空穴,集电区收集电子C、发射区发射电子,集电区收集空穴D、发射区发射空穴,集电区收集空穴

考题 晶体管包含三个区:集电区,()和发射区。

考题 三极管的集电区、发射区用的是同一种杂质半导体,因此,可将三极管的集电极和发射极可以互换使用。

考题 在晶体管内基片上有一个裂缝,可以导致集电极到发射极开路,在这里()A、“集电极到发射极开路”是故障原因(机理)B、“集电极到发射极开路”是故障模式C、“晶体管内基片上有裂缝”是故障原因(机理)D、“晶体管内基片上有裂缝”是故障模式

考题 晶体管的电流分配关系是:发射极电流等于集电极电流和()。

考题 晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料(N型或P型)构成的,所发射极和集电极可以互换。

考题 晶体管的内部结构分为三个区,即发射区、基区和集电区;两个结为发射和集电结。

考题 晶体管分为三层分别为()A、发射区B、放大区C、集电区D、基区E、扩张区

考题 半导体三极管有三个极、三个区,其中集电区是与()相连接的区域。A、基极B、集电极C、发射极D、正电极

考题 晶体管热噪声主要存在于()电阻内。A、基区B、发射区C、集电区D、发射区和集电区

考题 晶体管的发射极和集电极是否可以调换使用,为什么?

考题 电力晶体管的外部电极也是:集电极、基极和发射极。

考题 通常的双极型晶体管BJT在集电极和发射极互换使用时,仍有较大的电流放大作用。

考题 PNP型或NPN型晶体管,其发射区和集电区均为同类型半导体(N型或P型)。所以在实际使用中发射极与集电极()。A、可以调换使用B、不可以调换使用C、PNP型可以调换使用,NPN型则不可以调换使用

考题 晶体管共集电极放大电路的信号是从()A、基极输入,集电极输出B、基极输入,发射极输出C、发射极输入,集电极输出D、集电极输入,发射极输出

考题 晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。

考题 已知某NPN型晶体管处于放大状态,测得其三个电极的电位分别为6V、9V和6.3V,则三个电极分别为()。A、发射极、基极和集电极B、基极、发射极和集电极C、集电极、基极和发射极

考题 晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体(N型或P型)构成,所以发射极和集电极可以相互调换使用。

考题 晶体三极管的基区之所以做得很薄,其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。

考题 单选题晶体管是由单层半导体材料组成的。有三个区域,中间的一层为()。A 基区B 栅区C 集电区D 发射区

考题 填空题晶体管包含三个区:集电区,()和发射区。

考题 多选题在晶体管内基片上有一个裂缝,可以导致集电极到发射极开路,在这里()A“集电极到发射极开路”是故障原因(机理)B“集电极到发射极开路”是故障模式C“晶体管内基片上有裂缝”是故障原因(机理)D“晶体管内基片上有裂缝”是故障模式