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以PMOS为例，写出PMOS器件随着VGS 、VDS变化而变化的三种不同状态下的IV特性方程。

参考答案和解析
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考题 每一证券都有自己的风险―收益特性，而这种特性不会随着各相关因素的变化而变化。（ ）
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考题 MOS器件的基本结构有N沟道和P沟道两种,也就有NMOS和PMOS逻辑门电路两种。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 每一种证券都有自己的风险一收益特性，而这种特性不会随着相关因素的变化而变化。（ ）
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考题 To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain?
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考题 由下列器件构成的模拟开关中，导通电阻最低的是( )。A．CMOS场效应管B．PMOS场效应管C．NMOS场效应管D．二簧继电器
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考题 每一证券都有自己的风险一收益特性，而这种特性不会随着各相关因素的变化而变化。（ ）。
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考题 负荷特性是指负荷的有功功率和无功功率随着（）变化而变化的规律。
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考题 以NH4Cl为例，写出焦油脱盐的化学反应方程式？
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考题 PMOS管的开启电压UT为（）。A、正值B、负值C、零值D、正负值都有可能
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考题 MOS集成电路按其形式有NMOS和PMOS两种。
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考题 机车牵引力随着机车（）不同而变化的规律称为机车的牵引特性。
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考题 采用了（）门电路后，其比PMOS和NMOS门电路的功耗更低，速度更快。
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考题 长度比是一个常量，它既不随着点的位置不同而变化，也不随着方向的变化而变化。
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考题 下列门电路工作速度最快的一种是（）。A、TTLB、CMOSC、NMOSD、PMOS
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考题 热敏电阻正是利用半导体（）数目随着温度变化而变化的特性制成的（）敏感元件。
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考题 下列（）关于非线性元件定义是错误的。A、非线性元件指元件的特性随着外加的条件而变化B、元件的参数特性随时间变化而变化C、元件的参数特性随温度变化而变化D、元件的参数特性随电压因素而变化
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考题 填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。
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考题 问答题NMOS和PMOS的源漏如何形成的？
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考题 填空题在nwell上画pmos器件时需要在nwell上加（），并用金属线把这个（）与nwell内的（）电位相连接。
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考题 填空题机车牵引力随着机车（）不同而变化的规律称为机车的牵引特性。
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考题 问答题请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。
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考题 问答题为什么NMOS工艺优于PMOS工艺？
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考题 问答题同宽长比的PMOS和NMOS谁的阈值要大一些？
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考题 填空题MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、（）型。
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考题 单选题下列（）关于非线性元件定义是错误的。A 非线性元件指元件的特性随着外加的条件而变化B 元件的参数特性随时间变化而变化C 元件的参数特性随温度变化而变化D 元件的参数特性随电压因素而变化
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考题 判断题PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。A 对B 错
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考题 填空题PMOS是在（）上形成P型沟道的MOSFET晶体管。
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考题 问答题简述PMOS管的具体结构。
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