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11、由外电场作用引起半导体内载流子运动,则()

A.运动方式为漂移运动

B.形成的电流为漂移电流

C.电场强度越大,引起的电流越大

D.运动方式为扩散运动

E.形成的电流为扩散电流

F.电场强度越大,引起的电流越小

G.引起的电流方向与其载流子运动方向相反

H.引起的电流方向与其载流子运动方向相同


参考答案和解析
D
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考题 PN结中的内电场促进少数载流子的扩散运动。此题为判断题(对,错)。

考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

考题 半导体的界面或表面被()产生载流子后,生成的()和()由于载流子的作用向相反的方向漂移,引起载流子极化,从而产生了因光照射引起的电流。

考题 PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()A、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散B、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移C、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散D、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移

考题 关于本征半导体载流子,下面描述错误的是:()A、自由电子和空穴总是成对出现B、电子可以自由移动,空穴不能自由移动C、在温度升高和受光照射时,载流子的数目将增加D、自由电子和空穴在外电场作用下,运动方向相反,形成的电流方向相同,总电流是两者之和

考题 金属导体内的电流是由()在电场力的作用下运动形成的。A、空穴载流子B、正负离子C、自由电子D、载流子

考题 半导体屏蔽层除了起均匀电场作用外,也可以起()、()作用。

考题 N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。

考题 存在于材料表面的带电粒子在电场作用下做定向运动,形成电流,通常称它们为载流子。()

考题 如果电流是由几种载流子的定向运动形成的,则每一种载流子的定向运动对电流都有贡献。

考题 PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。

考题 半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。

考题 本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成P型半导体,其多数载流子是()。

考题 本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是();若掺入微量的三价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是()。

考题 金属导体内的电流是由()在电场力的作用下运动而形成的。A、自由电子B、正、负离子C、空穴载流子D、自由电子和空穴

考题 半导体材料导电能力的大小,由半导体内载流子的数目决定。

考题 半导体中的多数载流子是由()形成的,少数载流子是由()产生的。

考题 PN结反偏时,内电场与外电场的方向(),空间电荷区变(),有利于少数载流子的漂移运动,阻碍多数载流子的扩散运动,此时PN结呈现的电阻大,PN结处于截止状态。

考题 半导体中的扩散运动是由于载流子()而引起的。

考题 杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的,少数载流子是由()产生的。

考题 PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。

考题 为什么PN结具有单向导电性()。A、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用,正向串联在电路中时,因叠加外正电场与内电场方向一致,增强内电场作用,多数载流子顺利通过在电路中形成电流,正向导通B、PN结内电场对多数载流子的扩散起阻挡作用,正向串联在电路中时,因叠加外正电场与内电场方向相反,削弱内电场阻挡作用,使多数载流子顺利通过阻挡层,在电路中形成电流,正向导通C、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用,反向串联在电路时,因叠加外电场与内电场方向相反,削弱内电场作用,使多数载流子受到阻挡而无法通过,从而起反向截止作用D、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用,反向串联在电路时,因叠加外电场与内电场方向一致,增强内电场作用,使多数载流子受到阻挡而无法通过,从而起反向截止作用

考题 本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有()A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子

考题 N型半导体,P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。

考题 单选题金属导体内的电流是由()在电场力的作用下运动而形成的。A 自由电子B 正、负离子C 空穴载流子D 自由电子和空穴

考题 单选题PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()A 载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散B 载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移C 载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散D 载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移

考题 单选题半导体中的少数载流子产生的原因是()A 外电场B 内电场C 掺杂D 热激发

考题 填空题()是载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度。