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（基础题）根据晶体场理论，在八面体场中，由于场强的不同，有可能产生高自旋和低自旋的电子构型是（）

A．d2

B．d3

C．d4

D．d8

参考答案和解析
d 4
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考题 在晶体场理论中,在八面体场中Oh场作用下d轨道分裂为()和()。 A、e，t2gB、eg，tgC、e，t2D、eg，t2g
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考题 根据晶体场理论,高自旋配合物的理论判据是()。 A.分裂能成对能B.电离能成对能C.分裂能成键能D.分裂能成对能
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考题 在八面体场中,既能形成低自旋又能形成高自旋配合物的过渡元素的d电子数应为()。 A.1～3个B.2～5个C.4～6个D.6～9个
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考题 产生磁共振现象的基础是A、电子的自旋B、质子的自旋C、中子的自旋D、原子的自旋E、分子的自旋
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考题 根据晶体场理论，高自旋配合物具有的性质是（）A、分裂能成键能B、分裂能成对能C、分裂能成对能D、电离能成对能E、分裂能=成对能
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考题 已知[Co（NH3）6]3+的μ＝0，则下列叙述中错误的是（）A、[Co（NH3）6]3+是低自旋配合物，NH3是弱场配体B、[Co（NH3）6]3+是八面体构型，Co3+采用d2sp3杂化轨道成键C、在八面体场中，Co3+的电子排布为t2g6eg0D、按照光谱化学序，[Co（NH3）6]3+应[Co（H2O）6]3+稳定
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考题 已知H2O为弱场配体，CN－为强场配体。利用晶体场理论说明[Fe（H2O）6]3+和[Fe（CN）6]3–是低自旋配合物还是高自旋配合物，并写出中心原子的d电子排布。
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考题 关于原子核自旋的说法，正确的是（）A、自旋方向有两种，一种与磁场方向相同，另一种相反B、自旋运动在质量平衡的条件下总的角动量为零C、原子核的自旋特性与原子核所带的电子数相关D、人体中所有组成原子都可用来做磁共振成像E、拥有不成对的质子和中子的原子核在自旋中才有角动量的产生
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考题 已知[CoCl4]2-为高自旋的四面体配合物，分别用价键理论和晶体场理论讨论它的成键情况。
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考题 下列关于配合物高低自旋的说法，正确的是（）A、四面体构型多为低自旋B、配体性质对配合物高低自旋无影响C、中心离子氧化态越高，配合物越易呈高自旋状态D、中心离子半径越大，配合物越易呈低自旋状态
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考题 当ΔO＞P时，过渡金属离子能形成（）自旋八面体配合物；当ΔO＜P时，则形成（）自旋八面体配合物；前者的CFSE与P（）关。
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考题 下列关于配合物的叙述中错误的是（）A、高自旋的八面体配合物的CFSE不一定小于低自旋的CFSEB、同种元素的内轨型配合物比外轨型配合物稳定C、中心离子的未成对电子愈多，配合物的磁矩愈大D、价键理论的内轨型配合物对应着晶体场理论的高自旋配合物
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考题 在八面体的Fe2+离子的配合物中，高自旋状态与低自旋状态的LFSE差值的绝对值是（忽略成对能的影响）（）A、4DqB、16DqC、20DqD、24Dq
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考题 在八面体场中，既能形成低自旋又能形成高自旋配合物的过渡元素的d电子数应为（）。A、1～3个B、2～5个C、4～6个D、6～9个
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考题 根据晶体场理论，高自旋配合物的理论判据是（）。A、分裂能成对能B、电离能成对能C、分裂能成键能D、分裂能成对能
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考题 按晶体场理论，Co3+作为中心离子形成配合物时，在八面体弱场中，未成对电子数为（）个，d电子的分布为（）；在八面体强场中，理论磁矩是（），d电子的分布为（）；CFSE（）Dq。
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考题 电子的自旋状态包括正自旋和反自旋两种。
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考题 自旋—自旋弛豫和自旋—晶体弛豫有何不同？
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考题 下列有磁核磁现象的表述，正确的是（）A、任何原子核自旋都可以产生核磁B、MRI成像时，射频脉冲频率必须与质子自旋频率一致C、质子的自旋频率与磁场场强成正比D、质子的进动频率明显低于其自旋频率E、在场强一定的前提下，原子核的自旋频率与其磁旋比成正比
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考题 d6电子组态的过渡金属配合物，高自旋的晶体场稳定化能为（），高自旋的晶体场稳定化能为（）。
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考题 根据晶体场理论，在一个八面体强场中，中心离子d电子数为（）时，晶体场稳定化能最大。A、9B、6C、5D、3
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考题 判断题电子的自旋状态包括正自旋和反自旋两种。A 对B 错
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考题 多选题原子核在磁场外的状态为（　　）。A原子核在自旋B自旋的原子核产生自旋磁矩C自旋中的原子核磁矩方向是一致的D可以看到宏观的核磁共振现象E质子和中子不成对时，质子在自旋中将产生角动量
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考题 单选题根据晶体场理论，判断高自旋配合物的判据为（）。A 分裂能大于成对能B 电离能大于成对能C 分裂能大于成对能D 分裂能小于成对能
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考题 填空题根据磁矩可以判断[Mn（CN）6]4-（μ=1.73B.M.）是（）（高或低）自旋的；[CoF6]3-（μ=4.90B.M.）是（）（“高”或“低”）自旋的。
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