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钻穿效应使屏蔽效应

A.减弱

B.增强

C.无影响

D.增强了外层电子的屏蔽作用


参考答案和解析
A
更多 “钻穿效应使屏蔽效应A.减弱B.增强C.无影响D.增强了外层电子的屏蔽作用” 相关考题
考题 局部屏蔽效应(名词解释)

考题 使用能级图时,说法错误的是() A、能级图表示的能级关系是绝对的B、每种元素中,多电子能级之间的能量差不同C、能级图中,每一个表示轨道的圆圈中最多只能容纳自旋方向相反的两个电子D、能级图综合地体现了同一原子中不同电子的屏蔽效应和钻穿效应

考题 高层建筑物上信号理想,但切换频繁,通话困难的现象被称为()。 A.乒乓效应B.孤岛效应C.切换效应D.屏蔽效应

考题 使质子化学位移出现在高场的原因是( )。A形成氢键B去屏蔽效应C屏蔽效应D连接了电负性大的基团

考题 轰动效应和屏蔽效应是输入媒体的信息加工吗?()

考题 在多电子原子中,电子的钻穿效应是指由于角量子数l不同,几率的径向分布不同,电子钻到核外附近的几率不同,因而()不同的现象,称为电子的钻穿效应.钻穿效应不仅能解释n相同,l不同时轨道能量的高低,而且可以解释当n和l都不同时,有些轨道发生()

考题 什么是接地屏蔽效应?

考题 乙烯比乙炔质子的相对化学位移要大,主要原因是()。A、由于磁的各向异性效应,使得乙烯、乙炔质子都处在屏蔽区B、由于磁的各向异性效应,使得乙烯、乙炔质子都处在去屏蔽区C、由于磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙快质子处在去屏蔽区

考题 线路穿钢管和两端接地的目的在于起到:()A、屏蔽B、散流C、集肤效应D、跨接

考题 由于钻穿效应,会出现主量子数n值大的可能比主量子数n值小的能量低的现象。

考题 钻穿效应越大,则()A、轨道能量越高B、轨道能量越低C、原子的能量越低D、原子的能量越低高

考题 外层电子钻到内层空间而靠近原子核的现象叫做()A、光电效应B、钻穿效应C、电磁效应D、量子隧道效应

考题 NOE效应是指:()A、屏蔽效应B、各向异性效应C、核的Overhauser效应D、电场效应

考题 当工资增加时()A、收入效应使劳动时间增加,替代效应使劳动时间增加B、收入效应使劳动时间减少,替代效应使劳动时间减少C、收入效应使劳动时间减少,替代效应使劳动时间增加D、收入效应使劳动时间增加,替代效应使劳动时间减少

考题 高层建筑物上信号理想,但切换频繁,通话困难,称为()。A、切换效应B、孤岛效应C、屏蔽效应D、乒乓效应

考题 去屏蔽效应

考题 多电子原子中能量产生Ensnpnd,的现象是因为()A、钻穿效应B、屏蔽效应C、最低能量原理D、鲍林的能级图

考题 什么是屏蔽效应和钻穿效应?他们对原子轨道能量有何影响?

考题 屏蔽效应

考题 基态原子外层轨道的能量存在E3d E4s的现象是因为:()A、钻穿效应B、洪特规则C、屏蔽效应D、A和C

考题 问答题什么叫屏蔽效应、钻穿效应?

考题 名词解释题局部屏蔽效应

考题 单选题乙烯质子的化学位移值(δ)比乙炔质子的化学位移值大还是小?其原因是()A 大,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区B 大,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在去屏蔽区,乙炔质子处在屏蔽区C 小,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在去屏蔽区,乙炔质子处在屏蔽区D 小,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区

考题 单选题当工资增加时()A 收入效应使劳动时间增加,替代效应使劳动时间增加B 收入效应使劳动时间减少,替代效应使劳动时间减少C 收入效应使劳动时间减少,替代效应使劳动时间增加D 收入效应使劳动时间增加,替代效应使劳动时间减少

考题 单选题外层电子钻到内层空间而靠近原子核的现象叫做()A 光电效应B 钻穿效应C 电磁效应D 量子隧道效应

考题 单选题NOE效应是指:()A 屏蔽效应B 各向异性效应C 核的Overhauser效应D 电场效应

考题 单选题高层建筑物上信号理想,但切换频繁,通话困难的现象被称为()。A 乒乓效应B 孤岛效应C 切换效应D 屏蔽效应

考题 单选题线路穿钢管和两端接地的目的在于起到()A  屏蔽;B  散流;C  集肤效应;D  跨接