网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）

N沟道增强型电力MOSFET，引出3个端，分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。

参考答案和解析
√
更多 “N沟道增强型电力MOSFET，引出3个端，分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。” 相关考题
考题 场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
查看答案
考题 晶闸管的三个引出电极分别是()。 A.阳极、阴极、门极B.阳极、阴极、栅极C.栅极、漏极、源极D.发射极、基极、集电极
查看答案
考题 在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。 A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型
查看答案
考题 按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?( ) A、耗尽型B、增强型C、P沟道D、N沟道
查看答案
考题 可关断晶闸管三个电极分别为()。A.发射极，基极，集电极B.第一基极，发射极，第二基极C.源极，栅极，漏极D.阴极，门极，阳极
查看答案
考题 场效应管放大电路以()之间的信号作为输入信号。 A、栅极和漏极B、栅极和源极C、漏极和源极D、基极和发射极
查看答案
考题 MOSFET功率管的三个极分别为漏极、栅极和()。 A、基极B、源极C、发射极D、阻板
查看答案
考题 一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。 A、0B、1C、5D、10
查看答案
考题 功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压
查看答案
考题 增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
查看答案
考题 绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。 A.发射极，基极，集电极；B.发射极，栅极，集电极；C.源极，栅极，漏极；D.阴极，门极，阳极。
查看答案
考题 电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
查看答案
考题 描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
查看答案
考题 场效应管的三个极分别为？（）A、发射极B、栅极C、源极D、漏极
查看答案
考题 功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
查看答案
考题 某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
查看答案
考题 场效应管共漏极放大电路的信号是从（）A、栅极输入，漏极输出B、源极输入，漏极输出C、栅极输入，源极输出D、漏极输入，源极输出
查看答案
考题 从栅极输入，从漏输出的是共（）极电路；从栅极输入，从源极输出的是共漏极电路。
查看答案
考题 IGBT的3个引出电极分别是（）A、阳极、阴极、门极B、阳极、阴极   栅极C、栅极、源极  漏极D、发射极、栅极、集电极
查看答案
考题 晶闸管的3个引出电极分别是（）A、阳极、阴极、栅极B、阳极、阴极、门极C、栅极、漏极、源极D、发射极、基极、集电极
查看答案
考题 晶闸管三个电极分别叫做（）.A、阳极阴极和控制极B、阳极阴极和栅极C、屏极阴极和控制极D、漏极源极和栅极
查看答案
考题 电力场效应晶体管有三个引脚，分别为（）、栅极G、漏极D。
查看答案
考题 功率场效应管的三个引脚符号为（）A、源极S、漏极D、发射极EB、漏极D、发射极E、集电极CC、栅极G、发射极E、集电极CD、源极S、漏极D、栅极G
查看答案
考题 填空题在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
查看答案
考题 判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。A 对B 错
查看答案
考题 单选题晶闸管的3个引出电极分别是（）A 阳极、阴极、栅极B 阳极、阴极、门极C 栅极、漏极、源极D 发射极、基极、集电极
查看答案
考题 单选题IGBT的3个引出电极分别是（）A 阳极、阴极、门极B 阳极、阴极   栅极C 栅极、源极  漏极D 发射极、栅极、集电极
查看答案
考题 填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
查看答案
热门标签
最新试卷