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涂胶前处理（加HMDS）是为了去除粘附在硅片表面的尘埃。
参考答案和解析
正确
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考题
下列胶接工艺流程中,正确的是()。
A、表面处理→配胶→涂胶→合拢→凉置→固化→检查B、表面处理→配胶→涂胶→凉置→合拢→固化→检查C、配胶→涂胶→表面处理→合拢→凉置→固化→检查D、配胶→涂胶→表面处理→凉置→合拢→固化→检查
考题
光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。A、涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶B、涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶C、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶D、前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶
考题
清洁定义哪项正确（）A、用化学的方法除去物体表面的污垢、尘埃和有机物，其目的是去除和减少微生物B、用物理的方法除去物体表面的污垢、有机物，其目的是去除和减少微生物C、用物理的方法除去物体表面的污垢、尘埃和有机物，其目的是去除和减少微生物D、用化学的方法除去物体表面的污垢、尘埃，其目的是去除和减少微生物
考题
单选题刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。A
有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状B
在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形C
变成刻蚀介质以形成一个凹槽D
在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用
考题
单选题清洁定义哪项正确（）A
用化学的方法除去物体表面的污垢、尘埃和有机物，其目的是去除和减少微生物B
用物理的方法除去物体表面的污垢、有机物，其目的是去除和减少微生物C
用物理的方法除去物体表面的污垢、尘埃和有机物，其目的是去除和减少微生物D
用化学的方法除去物体表面的污垢、尘埃，其目的是去除和减少微生物
考题
填空题在探伤前，应去除吸附在试件上的所有外来物，如（）、（）和（）等等.
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