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问答题
简述光电发射效应（分金属与半导体两种情况）。
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考题
在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应；相应的器件如光电管、光电倍增管入射光改变材料内部电阻率的现象称（）；相应的器件如光敏电阻半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）。相应的器件如光电池、光电仪表。
考题
单选题对于光电发射效应，下列说法不正确的是（）A
光电发射效应，又称外光电效应B
金属光电发射量子效率都很低，且大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区C
半导体光电发射的量子效率远高于金属：光电发射的过程是体积效应，表面能带弯曲降低了电子逸出功，特别是负电子亲和势材料（NEA）D
良好的光电发射体，应该具备的基本条件之一是表面势垒高
考题
单选题在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）A
外光电效应B
光电发射C
内光电效应D
光生伏特效应
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