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题目内容 (请给出正确答案)
单选题
神经元兴奋性突触后电位产生的主要原因是(  )。
A

K+内流

B

K+外流

C

Na+内流

D

Na+外流

E

Cl-内流


参考答案

参考解析
解析:
当神经纤维传来的动作电位到达神经末梢时,引起接头前膜的去极化和膜上电压门控Ca2+通道的瞬时开放,Ca2+借助于膜两侧的电化学驱动力流入神经末梢内,使末梢内的Ca2+浓度升高。Ca2+浓度可驱动突触小泡的出胞机制,使其与接头前膜融合,并将小泡内的Ach释放到接头间隙,Ach通过接头间隙扩散至终板膜上,与Ach受体结合并激活后者,使间隙内正离子(主要是Na+)大量内流,使终板膜发生去极化,产生兴奋性突触后电位,也称终板电位。
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考题 神经元兴奋性突触后电位产生的主要原因是( )A、K+内流B、k+外流C、Na+内流D、Na+外流E、cr内流

考题 兴奋性突触后电位() A、是发生在突触后膜上的去极化型局部电位B、主要是由Na内流引起的C、具有“全或无”的性质D、具有较长的不应期E、可使突触后神经元的兴奋性增高或爆发AP

考题 γ-僵直产生的原因是( )。A.脑干网状结构易化区作用相对增强B.脑干网状结构抑制区作用减弱C.α运动神经元传出冲动增加D.p运动神经元传出冲动减少E.γ运动神经元传出冲动增加

考题 脑电波的形成主要是由于皮质表面( )。A.单个神经元顶树突同时产生多个突触后电位的总和B.单个神经元胞体兴奋而产生的动作电位C.大量神经元顶树突同步发生突触后电位的总和D.大量神经元胞体同步兴奋而产生动作电位的总和E.大量神经元轴突同步兴奋而产生动作电位的总和

考题 对兴奋性突触后电位的叙述,错误的是A.突触前神经元释放兴奋性递质B.突触后膜产生除极化变化C.突触后膜对Ca2+通透性增加D.主要使突触后膜Na+内流E.兴奋只能由前膜向后膜传递

考题 兴奋性突触后电位 A.即突触后神经元处于兴奋状态 B.经一中间神经元的中介而产生 C.由突触后膜K+电导增加而产生 D.可随突触前递质释放增多而加大

考题 下列关于兴奋性突触后电位的叙述,正确的是A. 是由突触前神经元释放抑制性递质而产生的   B. 性质上属于动作电位,但幅度较小   C. 重复刺激可引起时间的总和   D. 由突触后膜钾离子通道开放而产生

考题 兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了()的通透性。

考题 神经元兴奋性突触后电位产生的主要原因是( )。

考题 下列对兴奋性突触后电位的叙述,正确的是A:突触前神经元释放抑制性递质 B:突触后膜主要对Ca2+通透性增加 C:突触后膜产生局部去极化 D:主要使突触后膜Cl-内流增加 E:兴奋由前膜向后膜或由后膜向前膜,呈双向传递

考题 兴奋性突触后电位( )A.即突触后神经元处于兴奋状态 B. C.可随突触前递质释放增多而加大 D.

考题 责任会计产生的主要原因是()的产生。

考题 神经元兴奋性突触后电位产生的主要原因是()。A、K+内流B、K+外流C、Na+内流D、Na+外流E、Cl-内流

考题 何谓兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位?兴奋如何通过突触传递使突触后神经元兴奋(兴奋在中枢通过突触传递的过程与机理)?

考题 能使突触后膜通透性改变,产生兴奋性突触后电位的主要离子是()A、钠离子B、钾离子C、钙离子D、氯离子

考题 老年人脑萎缩的主要原因是神经元进行性减少。

考题 局麻药引起中枢神经系统兴奋的原因是()。A、中枢兴奋性神经元敏感B、中枢抑制性神经元不敏感,不产生脱抑制C、兴奋边缘系统所致D、中枢抑制性神经元更敏感,产生脱抑制作用E、中枢兴奋性增强

考题 脊休克产生的原因是由下列哪种因素引起()。A、脊髓横断损伤的刺激B、离断脊髓失去高位中枢调控C、脊髓运动神经元功能障碍D、大脑皮层与低位脑干神经元破坏

考题 产生兴奋性突触后电位(EPSP)的主要机制是()A、突触前末梢递质释放增多B、需由中间神经元中介C、突触后膜K+电导降低D、突触后膜Na+电导增加E、突触后神经元受刺激而兴奋

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考题 单选题下列对兴奋性突触后电位的叙述,正确的是(  )。A 突触前神经元释放抑制性递质B 突触后膜主要对Ca2+通透性增加C 突触后膜产生局部去极化D 主要使突触后膜Cl-内流增加E 兴奋由前膜向后膜或由后膜向前膜,呈双向传递

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