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判断题
离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片,会导致光刻材料的阴影效应,阻碍离子束的注入。
A
对
B
错
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考题
填空题CMOS工艺中,阱注入的计量为()量级;源、漏注入的剂量为()量级;开启调整的注入剂量为()量级 ;场注入的的剂量为()量级;离子束合成SOI材料SIMOX的O+注入计量为()量级。
考题
单选题离子束加工技术利用注入效应加工的是()A
离子束刻蚀B
溅射镀膜C
离子镀D
离子注入
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