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判断题
光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
A

对

B

错

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考题 微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
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考题 单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A a.离子束刻蚀、激光刻蚀B b.干法刻蚀、湿法刻蚀C c.溅射加工、直写加工
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考题 单选题刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。A  有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状B  在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形C  变成刻蚀介质以形成一个凹槽D  在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用
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考题 判断题有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。A 对B 错
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考题 单选题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。A 刻蚀B 离子注入C 光刻D 金属化
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考题 单选题实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。A 光刻B 刻蚀C 氧化D 溅射
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考题 问答题光刻和刻蚀的目的是什么？
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考题 填空题微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
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