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下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）
- A、缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小
- B、在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响
- C、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小
- D、在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；
- E、除A以外都对
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更多 “下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）A、缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小B、在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响C、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小D、在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；E、除A以外都对” 相关考题
考题
下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）A、内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大B、缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比C、表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大而急剧下降D、用有限线圈磁化长的工件，不需要进行分段磁化
考题
下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的A、磁化强度为一定时，缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷，其漏磁通与缺陷高度无关B、缺陷离试件表面越近，缺陷漏磁通越小C、在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响D、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小E、当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响F、c，d和e都对
考题
下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的。A、 在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响B、 交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小C、 当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响D、 以上都对
考题
下列有关漏磁通的叙述正确的是（）。A、内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大B、缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比C、表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱D、用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化
考题
单选题下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的A
磁化强度为一定时，缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷，其漏磁通与缺陷高度无关B
缺陷离试件表面越近，缺陷漏磁通越小C
在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响D
交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小E
当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响F
c，d和e都对
考题
单选题下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）A
内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大B
缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比C
表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大而急剧下降D
用有限线圈磁化长的工件，不需要进行分段磁化
考题
单选题下列有关漏磁通的叙述，哪些是正确的（）A
内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大B
缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比C
表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱D
用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化
考题
单选题下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）A
缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小B
在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响C
交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小D
在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；E
除A以外都对
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