考题
晶闸管从阻断转为导通,必须同时具备的两个条件是( )。
A、阳极正向电压和门极反向电流B、阳极反向电压和门极反向电流C、阳极反向电压和门极正向电流D、阳极正向电压和门极正向电流
考题
晶体管工作在放大状态的条件是( )。A.发射结反向偏置，集电结反向偏置B.发射结反向偏置，集电结正向偏置C.发射结正向偏置，集电结反向偏置D.发射结正向偏置，集电结正向偏置
考题
晶体管处于饱和状态时的条件是发射结( )偏置,集电结( )偏置.A、正向，反向B、正向，正向C、反向，反向D、反向，正向
考题
晶体管具有电流放大作用的外部条件是:()结正向偏置;()结反向偏置。
考题
二极管加反向电压时,反向电流很小,所以晶体管的集电结加反向电压时,集电极电流必然很小。()
此题为判断题(对，错)。
考题
晶体管管帽上的色点表示该晶体管的（）A、电流放大系数B、反向饱和电流C、穿透电流
考题
在晶体管放大电路中，发射结加的是反向电压，集电极加的是正向电压。
考题
当晶体管上的反向电压高于某值，反向电流会突然增大，这个电压叫（）。A、死区电压B、反向击穿电压
考题
当晶体管处于放大状态时，其特征是：发射结处于（）偏置，集电结处于反向偏置。A、正向B、反向C、左向D、右向
考题
晶体管的反向饱和电流是指发射极e开路时（）极之间的反向饱和电流。A、e和bB、e和cC、c和bD、b和f
考题
反向器的饱和工作条件是输入信号向晶体管提供的基极电流必须（）临界饱和基极电流。A、大于B、小于C、等于D、不等于
考题
普通晶体管用作放大时，输入端发射结保持为（）。A、反向偏置B、正向偏置C、正向、反向偏置均可
考题
二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。
考题
晶体管工作在饱和区的条件是（）。A、发射结正向偏置，集电结反向偏置B、发射结反向偏置，集电结正向偏置C、发射结正向偏置，集电结正向偏置D、发射结反向偏置，集电结反向偏置
考题
集电极电源是通过（）给晶体管的集电结加以反向偏压并对放大器提供电源的。
考题
要使晶体管起正常的放大作用，（）和集电结都必须处于反向偏置.。
考题
可编程控制器的输出有三种形式：一种是（）、一种是继电器输出、晶体管输出。
考题
当温度升高时，晶体管的β（），反向电流（），UBE（）
考题
晶体管穿透电流ICEO是反向饱和电流ICBO的（）倍，在选用晶体管的时候，一般希望ICBO尽量（）。
考题
晶体管调节器S与E接柱之间的正反向电阻相同。
考题
更换晶体管调节器时，要注意调节器的（）应相符。A、最大功率；B、最大工作电流；C、标准电压；D、反向电阻
考题
晶体管三极管放大条件是（）。A、发射结要正向偏置B、发射结要正向偏置，集电结要反向偏置C、集电结要反向偏置D、发射结要反向偏置，集电结要正向偏置
考题
关于晶体管反向漏电流，以下说法正确是（）。A、相同功率的锗管反向漏电流大于硅管B、NPN管反向漏电流小于PNP管C、电压越高越大D、NPN管反向漏电流大于PNP管
考题
关于晶体管的反向漏电流，相同功率的锗管反向漏电流大于（）反向漏电流。
考题
在晶体管放大电路中，发射结加的反向电压，集电极加的是正向电压。
考题
填空题可编程控制器的输出有三种形式：一种是（）、一种是继电器输出、晶体管输出。
考题
填空题在正常使用条件下，晶体管的发射结加正向小电压，称为（）偏置，集电结加反向大电压，称为反向偏置。