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下列哪项不属于压阻式压力表压力传感器的构件（）。

  • A、硅膜片
  • B、引线
  • C、绝缘体
  • D、硅杯

参考答案

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考题 下列关于硅压力传感器说法不正确的是______。A.被测介质的压力不直接作用于传感器的膜片上B.被测介质的压力作用使得膜片产生微小位移C.硅压力传感器实际影响的都是传感器阻值的变化D.压力传感器输出的都是标准的电压或电流信号
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考题 半导体压敏电阻式增压压力传感器由（）、底座、真空管接头和引线组成。A、夹板B、硅膜片C、真空室D、硅杯
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考题 采用单晶硅的压阻式压力变送器采用单晶硅片为弹性元件，在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺，在单晶硅的特定方向扩散一组（）电阻，并将电阻接成桥路。A、不等值B、等值C、线性值D、非线性值
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考题 压阻式压力传感器，当压力发生变化式，单晶硅产生应变，使直接扩散在上面的应变电阻成比例的变化，再由放大电路获得相应的电压输出信号。
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考题 压阻式压力传感器是基于（）的原理工作的。A、扩散硅受压电容变化B、扩散硅受压电荷变化C、扩散硅受压电阻值变化D、扩散硅受压电流变化
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考题 根据测量原理，压力变送器有（）。A、液柱式B、电容式C、电压式D、压阻式（扩散硅式）
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考题 压阻式压力传感器是利用单晶硅的压阻效果而构成，采用（）为弹性元件。A、应变片B、压电片C、弹性元件D、单晶硅片
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考题 压阻式压力传感器是利用单晶硅的电阻效应二构成，采用（）为弹性元件A、应变片B、压电片C、弹性元件D、单晶硅片
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考题 压阻式压力传感器是根据半导体材料（单晶硅）的（）原理制成的传感器。A、压电效应B、压阻效应C、电量变化D、电容变化
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考题 压电式压力传感器是根据（）原理，把被测压力转换为电信号的传感器。A、压电效应B、压阻效应C、单晶硅D、变电容
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考题 半导体压敏电阻式进气压力传感器中硅膜片受到的进气歧管侧的绝对压力越高，硅膜片的变形越（），其变形与压力大小成（）。A、大…正比；B、大…反比；C、小…正比；D、小…反比
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考题 硅压阻式压力传感器是利用（）的（）制成的器件。
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考题 下列传感器中的不属于结构型传感器的是（）。A、扩散硅压阻式压力传感器。B、线绕电位器式传感器。C、应变片式压力传感器。D、金属丝式传感器。
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考题 下列传感器中的物性型传感器的是（）。A、扩散硅压阻式压力传感器B、线绕电位器式传感器C、应变片式压力传感器D、金属丝式传感器
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考题 何谓压阻效应？扩散硅压阻式传感器与贴片型应变式传感器相比有何优缺点？如何克服？
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考题 压阻式压力传感器的二元件补偿法中，具有负灵敏度系数的N型硅条和正灵敏度系数的P型硅条应接入电桥的（）。A、相对边B、相邻边C、任意边均可D、不能用电桥测量
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考题 扩散硅式压力变送器的工作主要是基于（）。A、硅晶体的压阻效应B、硅晶体的扩散效应C、硅晶体的应变效应D、硅晶体的半导体特性
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考题 单选题半导体压敏电阻式进气压力传感器的压力转换元件是利用半导体的（）制成的硅膜片。A 压阻效应B 光电效应C 压电效应D 磁阻效应
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考题 单选题压阻式压力传感器中的硅膜片通常是（）。A 单晶硅B 多晶硅C 非晶硅D 硅蓝宝石
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考题 单选题硅压力传感器失效的形式有（）。 ①参数漂移； ②绝缘降低； ③膜片劈裂； ④电磁干扰； ⑤芯体渗漏。A ②③④⑤B ①③④⑤C ①②③⑤D ①②③④⑤
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考题 单选题扩散硅式压力变送器的工作主要是基于（）。A 硅晶体的压阻效应B 硅晶体的扩散效应C 硅晶体的应变效应D 硅晶体的半导体特性
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考题 单选题PTB220型气压传感器是完全补偿的数字式气压传感器，具有较宽的工作温度和气压测量范围，其感应元件采用的是（）。A 硅电容压力传感器B 振动筒压力传感器C 压阻式压力传感器
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