考题
合成塔压差过高的原因主要有哪些()。
A.空速过大B.副反应导致触媒床层积蜡C.合成塔有内漏D.操作不当
考题
合成塔出口温度过低原因是什么()。
A.空速过小B.汽包排污量过大C.新鲜气量下降D.循环气量太大
考题
热点温度下移是因为操作不当,循环气量过大,使上层温度下降,热点下移。()
此题为判断题(对，错)。
考题
产生中药毒性的主要原因有A.剂量过大B.误服伪品C.炮制不当D.制剂服法不当E.配伍不当
考题
催化剂粉化的原因有（）A、触媒温度波动范围过大B、升降压速率过大C、电炉功率过大D、循环气量过大
考题
环氧乙烷再吸收塔压差大原因有（）。A、进料量过大B、吸收水量过大C、塔釜循环量过大D、塔釜采出量过大
考题
旧触媒与新触媒装在同一层时，旧触媒应装在新触媒的下部，其原因是（）。A、旧触媒阻力较大B、旧触媒高温活性较高C、旧触媒低温活性衰退D、旧触媒活性较低
考题
造成润滑系统压力过低的原因是（）。A、机油黏度过小B、压力阀调整不当C、轴承间隙过大D、油泵泄漏量过大
考题
旋转机械产生不正常振动或振动量过大的原因很多，其主要原因是（）。A、转子的不平衡量过大B、转子的转速太高C、转子的转速太低D、转子的材料选择不当
考题
（）是产生未熔合的主要原因。A、线能量过小B、线能量过大C、焊条不当
考题
触媒层温度突然下降，系统压力突然上升的原因是（）A、微量超高触媒中毒B、循环氢过高C、合成塔带液D、空速加大
考题
触媒的热点温度逐渐下移，生产能力逐渐下降，这种现象称为触媒的（）。A、衰老B、暂时中毒C、粉化D、永久性中毒
考题
操作不当，温度波动频繁，温差过大，温度过高，就容易使触媒（）。A、衰老B、跨温C、粉化D、结块
考题
如何加大合成反应速度，正确的是（）A、触媒颗粒不能太大，否则活性面积减小，反应速度减慢B、适当降低反应温度，提高触媒活性C、降低操作压力D、减少空速
考题
合成转化率不好主要原因是（）。A、冷却水温度高B、水循环量过大C、触媒进入后期D、转化器阻力大
考题
成品塔塔底后冷却器出口温度高可能的原因有（）。A、汽化量过大B、采出量过大C、后冷器循环水量过低D、回流量过大
考题
以下就液体径向分布不均对反应的影响表述正确的是（）A、当径向局部液流量过大，则该处空速偏大，转化率偏高，床层温度偏高。B、当径向局部液流量过大，则该处空速偏小，转化率偏高，床层温度偏高。C、当径向局部液流量过大，则该处空速偏大，转化率偏低，床层温度偏低。D、当径向局部液流量过大，则该处空速偏小，转化率偏低，床层温度偏低。
考题
热点温度下移是因为操作不当，循环气量过大，使上层温度下降，热点下移。（）
考题
工艺气体加负荷过大，使工艺气体流经触媒的空速太快，出口CH4含量也会增高
考题
对转化炉炉管“亮管”，解释错误的是（）。A、炉管没装触媒B、触媒失活C、火嘴偏烧炉管D、风门配风量过大
考题
合成塔压差过高的原因主要有哪些？（）A、温度压力波动过大造成触媒粉碎B、工艺管线中的铁锈等沉积在触媒床层顶部造成堵塞C、空速过小D、触媒粉尘过多，与装填质量有关
考题
不是转化炉出口甲烷含量高的原因的是（）。A、触媒活性下降B、空速太小C、触媒中毒D、触媒表面结碳
考题
产生中药毒性的主要原因有（）A、剂量过大B、误服伪品C、炮制不当D、制剂服法不当E、配伍不当
考题
产生中药毒性的主要原因除外（）A、炮制不当B、剂量过大、配伍不当C、误服伪品D、制剂服法不当E、个体胖瘦
考题
冷却塔冷却能力不强的可能原因有（）。A、风机叶片角度不正确B、循环水偏流C、风机风量过大D、循环水量过大E、冷却塔水泵流量不足
考题
多选题产生中药毒性的主要原因有（）A剂量过大B误服伪品C炮制不当D制剂服法不当E配伍不当