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常温下，硅晶体三极管的UBE 约为0.7V，且随温度升高而减小。（）

参考答案

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考题 当温度T升高时,晶体三极管的参数有如下变化规律()。 A、b增大，UBE增大，ICBO增大B、b减小，UBE减小，ICBO减小C、b增大，UBE减小，ICBO增大D、b减小，UBE增大，ICBO减小
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考题 常温下,硅晶体管的UBE=0.7V,且随温度升高UBE增加。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V
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考题 用万用表测三电极的参数为UBE=0.7V、UCE=5V，则（）A、三极管是处于截止状态B、三极管是PNP型C、三极管是硅材料D、三极管是处于饱和状态
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考题 硅半导体三极管不失真的电压放大时，其be结应加的直流电压与交流电压值约为（）A、均为0.6~0.7VB、前者为0.6~0.7V，后者约为百mVC、前者为0.6~0.7V，后者约为几mV～十几mVD、视具体情况而定
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考题 已知常温下晶体二极管的工作点电流为2mA，则其交流等效电阻rd为多少，且与温度之关系（）A、13Ω、随温度加大而加大B、13Ω、随温度加大而减小C、26Ω、随温度加大而加大D、26Ω、随温度加大而减小
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考题 晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，对于硅管约为0.7v，锗管约为0.3v。
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考题 晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
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考题 晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
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考题 硅NPN型的三极管如果它工作于饱和状态，那么，它一定具有以下特征：（）。A、UBE在0.3V左右B、UBE约为0.7伏C、UCB＞0D、UC＜0E、UCB＜0
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考题 已知常温下BJT管的工作点电流为2mA，则其交流等效电阻rd为多少？且与温度之关系为（）A、13Ω，随温度加大而加大B、13Ω，随温度加大而减小C、26Ω，随温度加大而加大D、26Ω，随温度加大而减小
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考题 硅管的正向压降为0.7V。（）
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考题 晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为（）A、β增加，ICBO，和 uBE减小B、β和ICBO增加，uBE减小C、β和uBE减小，ICBO增增加D、β、ICBO和uBE都增加
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考题 晶体三极管的参数受温度影响，当温度升高时，晶体管的ICBO将（），β将（），|UBE|将（）。
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考题 晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为（）。A、β增加，ICBO和 uBE减小B、β和ICBO增加，uBE减小C、β和uBE减小，ICBO增加D、β、ICBO和uBE都增加
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考题 在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
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考题 有人测试晶体管的γbe，方法是通过测得晶体管的UBE=0.7，IB=20mA，推算出γbe=UBE/IB=0.7V/20mA=35KΩ。
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考题 晶体三极管的β、ICBO、UBE都是温度的函数，当温度升高时，β和ICBO（），而UBE（）
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考题 NPN晶体管处于截止状态的条件是（）。A、UBE0.7VB、UBE0.7VC、UBE=0.7V
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考题 常温下，硅二极管的正向导通压降为（）。A、0.3V；B、0.7V；C、1V
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考题 测得NPN型晶体三极管的极间电压UBE=0.7V、UCE=0.3V，则该管工作在（）。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、反向放大状态
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考题 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。A、0.2VB、0.3VC、0.5VD、0.7V
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考题 三极管中Icbo和Iceo随温度升高而（），Ube随温度升高而（）。
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考题 单选题已知常温下晶体二极管的工作点电流为2mA，则其交流等效电阻rd为多少，且与温度之关系（）A 13Ω、随温度加大而加大B 13Ω、随温度加大而减小C 26Ω、随温度加大而加大D 26Ω、随温度加大而减小
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考题 单选题用万用表测三电极的参数为UBE=0.7V、UCE=5V，则（）A 三极管是处于截止状态B 三极管是PNP型C 三极管是硅材料D 三极管是处于饱和状态
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考题 单选题已知常温下BJT管的工作点电流为2mA，则其交流等效电阻rd为多少？且与温度之关系为（）A 13Ω，随温度加大而加大B 13Ω，随温度加大而减小C 26Ω，随温度加大而加大D 26Ω，随温度加大而减小
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考题 单选题硅半导体三极管不失真的电压放大时，其be结应加的直流电压与交流电压值约为（）A 均为0.6~0.7VB 前者为0.6~0.7V，后者约为百mVC 前者为0.6~0.7V，后者约为几mV～十几mVD 视具体情况而定
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