考题
二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
考题
一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。
A、0B、1C、5D、10
考题
晶闸管有()个PN节,导通时,阳极和阴极的管压降约为()V。
此题为判断题(对，错)。
考题
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
考题
通态平均电压是指晶闸管导通后，A、K极之间在一个周期内的平均电压值，称为（）。A、管压降B、正向电压C、反向电压D、平均电压
考题
可控硅导通后，管压降一般约为（）V左右A、0.3B、1C、0.7D、1.5
考题
二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
考题
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
考题
二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。
考题
常温下，硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为（）V。A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
考题
晶闸管导通后，阳极与阴极间的正向电压很小，约为（）V左右。A、1B、2C、3D、4
考题
管压降是指二级管导通时的（）A、压降B、反向压降C、正向压降D、电压降
考题
晶闸管导通后的管压降为（）左右。A、1VB、1.2VC、0.8VD、0.6～0.7V
考题
晶闸管导通后，本身的压降约为（）V左右，称为通态平均电压。A、0.5B、0.7C、1D、3
考题
晶闸管的阳极直流电位是20V，阴极电位是0V，给控制极3V触发电压，此时晶闸管导通；当取消3V触发电压时，晶闸管（）。A、截止B、导通截止C、导通D、截止导通
考题
二极管的伏安特性可大概理解为（）、（）。导通的硅管的压降约为（）V。
考题
晶闸管导通后，其正向压降约等于（）。A、零B、0.3VC、1V左右
考题
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。
考题
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
考题
试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。
考题
晶闸管导通时的管压降约（）V。A、0.1B、1C、3D、5
考题
单选题晶闸管的阳极直流电位是20V，阴极电位是0V，给控制极3V触发电压，此时晶闸管导通；当取消3V触发电压时，晶闸管（）。A
截止B
导通截止C
导通D
截止导通
考题
问答题试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。
考题
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。