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COMS集成电路与TTL集成电路相比较，有哪些优缺点？

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考题 下列关于集成电路发展过程中的主要分类说法正确的是()。 A.单极型集成电路以TTL为主B.单极型集成电路以MOS为主C.TTL是双极型集成电路中用得最多的一种D.MOS是双极型集成电路中用得最多的一种
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考题 CMOS 数字集成电路与 TTL 数字集成电路相比突出的优点是()。 A.微功耗B.高速度C.高抗干扰能力D.电源范围宽
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考题 当前集成电路中最流行的制造技术有()。 A、DTL技术B、TTL技术C、CMOS技术D、继电器技术
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考题 把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上，就构成集成电路，根据制造工艺的不同，把数字集成电路分为哪两种。（）A、双极性集成电路B、TTL集成电路C、CMOS集成电路D、单极性集成电路
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考题 集成电路74LS系列表示（）。A、高速肖特基TTL电路B、低功耗肖特基TTL电路C、低速肖特基TTL电路D、高低功耗肖特基TTL电路
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考题 按制造工艺集成电路分为（）。A、半导体集成电路B、TTL集成电路C、厚膜集成电路D、薄膜集成电路E、CMOS集成电路
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考题 单极型集成电路是（）。A、TTL型B、TDK型C、CMOS型
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考题 TTL集成电路的全称是晶体管—晶体管逻辑集成电路。
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考题 你知道哪些常用逻辑电平？TTL与COMS电平可以直接互连吗？
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考题 目前双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是TTL电路和（）电路。A、CMOSB、CPUC、AMPD、AFC
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考题 采用COMS集成电路4047可以构成探伤仪的（）。
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考题 TTL集成电路和CMOS集成电路对输入端的空脚处理是（）。A、CMOS允许悬空B、TTL不允许悬空C、TTL允许悬空D、CMOS不允许悬空
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考题 探伤仪中的同步电路是由计算机构成，采用COMS集成电路来完成。
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考题 COMS集成电路与TTL集成电路相比较的特点（）。A、静态功耗低，电源电压范围宽B、输入阻抗高，扇出能力强C、抗干扰能力强，逻辑摆幅大D、温度稳定性好E、工作速度低于TTL电路，功耗随频率的升高显著增大
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考题 与TTL相比，CMOS集成电路主要优点有：（）、（）、（）、（）、（）等。
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考题 CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是（）A、微功耗B、高速度C、高抗干扰能力D、电源范围宽
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考题 单极性集成电路包括（）A、TTL集成电路B、PMOS集成电路C、NMOS集成电路D、CMOS集成电路
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考题 下列电路属于单极型器件集成的应是（）.A、TTL集成电路B、HTL集成电路C、MOS集成电路
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考题 与TTL集成电路相比，CMOS集成电路（）。A、功耗更大B、材料不同C、工艺相同D、以上都不正确
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考题 试述CMOS集成电路与TTL集成电路相比较有哪些优缺点？
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考题 TTL集成电路和COMS集成门电路的功耗差不多。
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考题 什么是COMS集成电路的扇出系数？简要说明它与工作频率的关系。
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考题 问答题你知道哪些常用逻辑电平？TTL与COMS电平可以直接互连吗？
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考题 多选题CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是（）。A微功耗B高速度C高抗干扰能力D电源范围宽
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考题 单选题目前双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是TTL电路和（）电路。A CMOSB CPUC AMPD AFC
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考题 填空题半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料（）、（）和化合物晶体材料（）、（）；硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选（）；TTL集成电路衬底材料的晶向常选（）；常用的硅集成电路介电薄膜是（）、（）；常用的IC互连线金属材料是（）、（）。
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考题 填空题采用COMS集成电路4047可以构成探伤仪的（）。
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