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使用QS1型交流电桥测量tanØ时,造成-tanØ值出现的原因有()

  • A、温度影响
  • B、强电场干扰
  • C、测量中接线错误
  • D、测量有抽取电压装置的电容式套管时,套管表面脏污

参考答案

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考题 194、测量大变压器的直流电阻,因阻值较小,应该使用()。(A)西林电桥(QS1电桥);(B)惠斯顿电桥测量;(C)凯尔文电桥测量。

考题 测量大变压器的直流电阻,因阻值较小,应该使用()A西林电桥(QS1电桥)B惠斯顿电桥测量C凯尔文电桥测量

考题 采用QS1电桥进行反接线测试tanδ,其工作电压不可超过10kV。A对B错

考题 采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。A对B错

考题 QS1型交流电桥测量时,标准电容CN和试验变压器QS1电桥距离应不小于()。A、0.2mB、0.5mC、1mD、1.5m

考题 采用QS1电桥进行反接线测试tanδ,其工作电压不可超过10kV。

考题 使用QS1电桥测量tgδ时,接通或断开电源时,检流计灵敏度应在()。

考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时,温度对tanØ测量结果影响很大。绝大多数情况下,对同一被试设备,其tanØ随温度的升高而减少。

考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时,现场采用排除磁场干扰的方法有以下几种()A、把电桥移到磁场以外去测量B、使检流计极性转换开关处于两种不同位置时,调节电桥平衡,求得每次平衡时的tanØ值和电容值,取两次的平均值为tanØ值C、提高试验电压D、在被试设备上加装屏蔽罩

考题 QS1型交流电桥是测量介质损耗正切值的专用仪器,适用于变压器、电机、电缆等高压设备介质损耗正切值的测量。

考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时,现场采用排除电场干扰的方法有以下几种()A、提高试验电压B、采用正接线方法C、用电桥内部“选相”、“倒相”法接线,排除干扰源对电源相位的干扰D、在被试设备上加装屏蔽罩

考题 采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度低。

考题 采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。

考题 采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度()。A、低B、高C、相等

考题 使用QS1交流电桥时,若光带有显示,但检流计调谐不能谐振,则故障原因可能是电桥专用引出线断线。

考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时,温度对tanØ测量结果影响很大。尤其当试验温度小于0℃或天气潮湿(相对湿度大于85%)条件下测得的tanØ值,不能反映设备的实际绝缘状况。

考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时,当试验现场有运行的高压电气设备,尤其有漏磁通较大的电搞器、阻波器,测试将受到它们形成的磁场干扰,造成tanØ值增大或减小。

考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时,设备温度不同,所测得的tanØ值不同。但可以用一个典型的温度换算系数进行tanØ的温度换算。

考题 QS1型交流电桥测量时,影响tanØ测量值因素主要有()A、电场干扰B、温度影响C、被试设备局部绝缘缺陷的影响D、测量电压的影响

考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时,试验电源频率对测量值有一定影响。在一频率范围内,随频率的增加,tanØ值增加。当超过某一频率f0时,tanØ值随频率的增加而下降。这是由介质内极化分子“转向”能否跟上频率变化所决定的。

考题 测量tgδ时,为何要选择QS1电桥的分流位置?

考题 变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时,对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。

考题 用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。

考题 QS1型交流电桥测量介质损耗正切值是一项低压作业,加压时间短,操作比较简单。

考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时,应尽量选择与历次试验相近温度条件下进行绝缘tanØ试验。

考题 单选题采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度()。A 低B 高C 相等

考题 判断题采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。A 对B 错