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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，应尽量选择与历次试验相近温度条件下进行绝缘tanØ试验。

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考题 194、测量大变压器的直流电阻，因阻值较小，应该使用（）。（A）西林电桥（QS1电桥）；（B）惠斯顿电桥测量；（C）凯尔文电桥测量。
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考题 测量大变压器的直流电阻，因阻值较小，应该使用（）A西林电桥（QS1电桥）B惠斯顿电桥测量C凯尔文电桥测量
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考题 采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。A对B错
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考题 在使用技术条件允许范围内，QS1交流电桥的测量灵敏度与试验电压成（）比，与标准电容器电容量成（）比。
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考题 QS1型交流电桥测量时，标准电容CN和试验变压器QS1电桥距离应不小于（）。A、0.2mB、0.5mC、1mD、1.5m
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考题 采用QS1电桥进行反接线测试tanδ，其工作电压不可超过10kV。
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考题 使用QS1电桥测量tgδ时，接通或断开电源时，检流计灵敏度应在（）。
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考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时，温度对tanØ测量结果影响很大。绝大多数情况下，对同一被试设备，其tanØ随温度的升高而减少。
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考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除磁场干扰的方法有以下几种（）A、把电桥移到磁场以外去测量B、使检流计极性转换开关处于两种不同位置时，调节电桥平衡，求得每次平衡时的tanØ值和电容值，取两次的平均值为tanØ值C、提高试验电压D、在被试设备上加装屏蔽罩
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考题 QS1型交流电桥是测量介质损耗正切值的专用仪器，适用于变压器、电机、电缆等高压设备介质损耗正切值的测量。
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考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除电场干扰的方法有以下几种（）A、提高试验电压B、采用正接线方法C、用电桥内部“选相”、“倒相”法接线，排除干扰源对电源相位的干扰D、在被试设备上加装屏蔽罩
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考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时，造成-tanØ值出现的原因有（）A、温度影响B、强电场干扰C、测量中接线错误D、测量有抽取电压装置的电容式套管时，套管表面脏污
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考题 采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。
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考题 采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。
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考题 采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度（）。A、低B、高C、相等
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考题 使用QS1交流电桥时，若光带有显示，但检流计调谐不能谐振，则故障原因可能是电桥专用引出线断线。
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考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时，温度对tanØ测量结果影响很大。尤其当试验温度小于0℃或天气潮湿（相对湿度大于85%）条件下测得的tanØ值，不能反映设备的实际绝缘状况。
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考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时，当试验现场有运行的高压电气设备，尤其有漏磁通较大的电搞器、阻波器，测试将受到它们形成的磁场干扰，造成tanØ值增大或减小。
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考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时，设备温度不同，所测得的tanØ值不同。但可以用一个典型的温度换算系数进行tanØ的温度换算。
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考题 QS1型交流电桥测量时，影响tanØ测量值因素主要有（）A、电场干扰B、温度影响C、被试设备局部绝缘缺陷的影响D、测量电压的影响
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考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时，试验电源频率对测量值有一定影响。在一频率范围内，随频率的增加，tanØ值增加。当超过某一频率f0时，tanØ值随频率的增加而下降。这是由介质内极化分子“转向”能否跟上频率变化所决定的。
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考题 使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为15000pF，加压10kV，电桥分流器的位置选择哪一档为宜（）。A、0.01B、0.025C、0.06D、0.15
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考题 使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为1500PF、加压10kV，电桥分流器的位置选择（）档为宜。A、0.01B、0.025C、0.06D、0.15
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考题 测量tgδ时，为何要选择QS1电桥的分流位置？
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考题 QS1型交流电桥测量介质损耗正切值是一项低压作业，加压时间短，操作比较简单。
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考题 单选题采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度（）。A 低B 高C 相等
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考题 判断题采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。A 对B 错
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