考题
晶体三极管工作于放大区的条件是()。
A、集电结和发射结都反偏B、集电结反偏、发射结正偏C、集电结和发射结都正偏D、集电结正偏、发射结反偏
考题
三极管处于放大状态时，三极管的发射结和集电结分别处于()。A.发射结和集电结都处于正偏B.发射结处于正偏，集电结处于反偏C.发射结处于反偏，集电结处于正偏D.发射结和集电结都处于反偏
考题
三极管工作在放大状态时,它的两个PN结必须是()
A、发射结和集电结同时正偏B、发射结和集电结同时反偏C、集电结正偏，发射结反偏D、集电结反偏，发射结正偏
考题
晶体三极管放大时,它的两个PN结的工作状态为()。
A、均处于正向偏置B、均处于反向偏置C、发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置D、发射结处于反向偏置，集电结处于正向偏置
考题
光敏三极管受光照控制的pn结是()。
A.集电结或发射结B.集电结C.集电结和发射结D.发射结
考题
一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏,则此三极管处于()状态;其发射结和集电结都处于反偏时,此三极管处于()状态;当发射结正偏、集电结反偏时,三极管为()状态。
考题
三极管处于截止状态时，集电结和发射结的偏置情况如何？( )A.发射结反偏，集电结正偏
B.发射结、集电结均反偏
C.发射结、集电结均正偏
D.发射结正偏，集电结反偏
考题
三极管工作在饱和区时，三极管两个结的偏置是（）A、发射结加正向电压，集电结也加正向电压B、发射结加正向电压，集电结加反向电压C、发射结加反向电压，集电结加反向电压
考题
三极管工作在放大状态时，发射结和集电结的偏置应为（）。A、发射结零偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
三极管饱和区的放大条件为（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏或零偏，集电结反偏C、发射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏
考题
用万用表测得三极管的任意二极间的电阻均很小，说明该管（）。A、两个PN结均击穿B、两个PN结均开路C、发射结击穿，集电结正常D、发射结正常，集电结击穿
考题
三极管饱和导通状态是指三极管（）。A、发射结、集电结均处于正向偏置B、发射结、集电结均处于反向偏置C、发射结处于反向偏置，集电结处于正向偏置D、发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置
考题
三极管截止状态是指三极管（）。A、发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置B、发射结处于反向偏置，集电结处于正向偏置C、发射结、集电结均处于反向偏置D、发射结、集电结均处于正向偏置
考题
晶三级体管内部的两个PN结分别称为（）结和集电结。
考题
三极管处于放大状态时，三极管的发射结和集电结分别处于（）A、发射结和集电结都处于正偏B、发射结处于正偏，集电结处于反偏C、发射结处于反偏，集电结处于正偏D、发射结和集电结都处于反偏
考题
三极管工作在放大状态时，PN结的偏置状态是（）。A、发射结、集电结皆正偏B、发射结、集电结皆反偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
考题
一个三极管有两个PN结，分别称为（）结和（）结。
考题
三极管放大的外部偏置条件是（）。A、发射结和集电结均正偏B、发射结和集电结均反偏C、发射结正偏、集电结反偏
考题
晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
双极型三极管有两个PN结，分别是（）和（）。
考题
半导体三极管内部有发射区、基区和集电区三部分，结合处形成两个PN结，分别称为发射结和（）。A、集中结B、集成结C、集电结D、集合结
考题
用万用表测得三极管的任意两极间的电阻均很小，说明该管（）。A、二个PN结均击穿B、发射结击穿，集电结正常C、二个PN结均正常D、集电结击穿发射结正常
考题
三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。A、集中结B、集成结C、集电结D、集合结
考题
三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射结和（）。A、集中结B、集成结C、集电结
考题
三极管工作在饱和区时，两个PN结的偏置是：发射结加正向电压，集电结加正向电压。
考题
单选题三极管工作在放大状态时，它的两个PN结必须是（）。A
发射结和集电结同时反偏B
发射结正偏，集电结反偏C
发射结和集电结同时正偏D
发射结反偏，集电结正偏
考题
单选题由于三极管有发射结和集电结两个PN结，因此，可根据PN结（）的特点，利用万用表的欧姆挡来判别三极管是NPN型还是PNP型。A
正向电阻小、反向大B
反向电阻小、正向大C
正向电阻小、反向电阻也小