考题
大多数有机弱酸或有机弱碱在消化道内转运的机制是 A．单纯扩散
B．膜孔转运
C．促进扩散
D．主动转运
E．膜动转运
考题
通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区
考题
刻蚀工艺有哪两种类型？简单描述各类刻蚀工艺。
考题
试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。
考题
实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。A、光刻B、刻蚀C、氧化D、溅射
考题
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A、干法刻蚀、湿法刻蚀B、离子束刻蚀、激光刻蚀C、溅射加工、直写加工D、以上都可以
考题
由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。A、刻蚀速率B、选择性C、各向同性D、各向异性
考题
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。A、刻蚀B、氧化C、淀积D、光刻
考题
微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
考题
问答题二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？
考题
单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A
a.离子束刻蚀、激光刻蚀B
b.干法刻蚀、湿法刻蚀C
c.溅射加工、直写加工
考题
判断题光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。A
对B
错
考题
判断题有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。A
对B
错
考题
填空题圆筒式等离子刻蚀的（），适用于（）工艺；反应离子刻蚀，（），可以用通入不同的工艺气体，实现好的选择性，适合于对（）和（）的刻蚀。
考题
填空题光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（）于负胶的分辨率；光刻胶越薄，分辨率越（）。
考题
单选题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。A
刻蚀B
离子注入C
光刻D
金属化
考题
单选题现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为（）A
扩散B
化学机械抛光C
刻蚀D
离子注入
考题
判断题在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A
对B
错
考题
单选题实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。A
光刻B
刻蚀C
氧化D
溅射
考题
问答题简述离子注入工艺相对于热扩散工艺的优缺点。
考题
问答题试对比分析扩散工艺和离子注入工艺的特征和特点。
考题
填空题微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
考题
填空题集成电路制造工艺技术主要包括：热工艺、（）、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。
考题
问答题例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。
