考题
通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区
考题
刻蚀工艺有哪两种类型？简单描述各类刻蚀工艺。
考题
有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。A、离子注入B、刻蚀C、扩散D、光刻
考题
简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。
考题
试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中，采用了背曝光为什么还要采用一次曝光？直接使用一次曝光不行吗？
考题
实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。A、光刻B、刻蚀C、氧化D、溅射
考题
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A、干法刻蚀、湿法刻蚀B、离子束刻蚀、激光刻蚀C、溅射加工、直写加工D、以上都可以
考题
晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷
考题
由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。A、刻蚀速率B、选择性C、各向同性D、各向异性
考题
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。A、刻蚀B、氧化C、淀积D、光刻
考题
微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
考题
问答题二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？
考题
单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A
a.离子束刻蚀、激光刻蚀B
b.干法刻蚀、湿法刻蚀C
c.溅射加工、直写加工
考题
判断题有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。A
对B
错
考题
填空题光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（）于负胶的分辨率；光刻胶越薄，分辨率越（）。
考题
问答题简述IC芯片工艺过程中包括的刻蚀工艺过程
考题
单选题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。A
刻蚀B
离子注入C
光刻D
金属化
考题
判断题在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A
对B
错
考题
单选题实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。A
光刻B
刻蚀C
氧化D
溅射
考题
判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A
对B
错
考题
填空题微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
考题
问答题什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。
考题
填空题集成电路制造工艺技术主要包括：热工艺、（）、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。
