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名词解释题
有限表面源扩散

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考题 生球干燥是由( )两个过程组成的。A.表面扩散和内部汽化B.表面汽化和内部扩散C.表面汽化和内部汽化D.表面扩散和内部扩散
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考题 吸附的发生过程可分()几个阶段。 A、外扩散B、表面扩散C、内扩散D、孔扩散
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考题 恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）A、高斯函数B、余误差函数C、指数函数D、线性函数
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考题 通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区
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考题 多相催化反应中，作用物从催化剂外表面扩散进入孔隙内部的过程叫做（）A、外扩散B、内扩散C、表面扩散D、化学吸附
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考题 恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。A、高斯B、余误差C、指数
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考题 在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
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考题 片状源扩散具有设备简单，操作方便，晶片缺陷少，均匀性、重复性和表面质量都较好，适于批量生产，应用越来越普遍。（）
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考题 晶片表面上的粒子是通过（）到达晶片的表面。A、粒子扩散B、从气体源通过强迫性的对流传送C、化学反应D、被表面吸附E、静电吸引
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考题 硅晶片上之所以可以产生薄膜，出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子，它们主要是通过（）到达晶片表面的。A、粒子的扩散B、化学反应C、从气体源通过强迫性的对流传送D、被表面吸附
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考题 生球干燥是由（）两个过程组成的。A、表面扩散和内部气化B、表面气化和内部扩散C、表面气和内部气化D、表面扩散和内部扩散
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考题 当平均风速大于10m/s时，预测浓度采用（）。A、小风和静风扩散模型B、有风点源扩散模型C、熏烟模式D、面源扩散模型
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考题 连续稳态扩散常常用高斯烟羽模型，下面属于高斯烟羽模型基本假设的是（）。A、在整个的扩散空间中，风速是均匀不变的B、污染源的源强是连续的、均匀的C、地表面充分平坦D、在扩散过程中污染物的质量是不变的，即烟气到达地面全部反射，不发生沉降和化学反应
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考题 吸附过程的内扩散分为（）。A、深层扩散；B、表面扩散；C、渗透扩散；D、孔扩散。
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考题 合成反应是一多项催化过程，这个过程按下列（）过程进行。A、扩散—吸附—表面反应—解吸—扩散B、扩散—表面反应—吸附—解吸——散C、扩散—吸附—反应—扩散
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考题 表面扩散
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考题 单选题大气环境影响预测推荐模式中的估算模式是一种（）预测模式，可计算点源、面源和体源等污染源的最大地面浓度。A 单源B 多源C 烟羽扩散D 烟团扩散
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考题 填空题常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。
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考题 单选题当平均风速大于10m/s时，预测浓度采用（）。A 小风和静风扩散模型B 有风点源扩散模型C 熏烟模式D 面源扩散模型
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考题 单选题下面关于非点源扩散模式说法不正确的是（）。A 狭长街道或公路上行驶的车辆密度大，称为有限长线源B 有限长线源造成的污染物浓度必须考虑线源末端引起的“边缘效应”C 城市中数量众多、分布面广、排放高度低的污染源，可以作为面源处理D 城市面源污染可以通过箱式模型、简化为点源的面源模式或窄烟流模式估算
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考题 判断题基区主扩散属于有限表面源扩散。A 对B 错
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考题 问答题简述源材料扩散穿过边界表面时的两种表面吸附
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考题 多选题常用的扩散模式是（）。A有风、小风、静风扩散模式B气态污染物和颗粒污染物扩散模式C短期浓度和长期浓度扩散模式D点源、面源、线源和体源等扩散模式
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考题 名词解释题恒定表面源扩散
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考题 判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。A 对B 错
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考题 名词解释题有限表面源扩散
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考题 填空题有限表面源扩散的杂质分布服从（）分布。
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考题 名词解释题有限源扩散
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