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填空题
SiO2-Si界面的杂质分凝：（）过程中，（）在两种材料中重新分布，（）吸引受主杂质（B）、排斥施主杂质（P、As）。
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考题
杂质限量指A、药物纯净程度B、在个别药物生产和贮存过程中引入的杂质C、药物中所含杂质的最大允许量D、自然界中存在较广泛在多种药物的生产和贮藏过程中容易引入的杂质E、杂质本身一般无害但其含量多少可以反映出药物纯度水平
考题
特殊杂质A、药物纯净程度B、在个别药物生产和贮存过程中引入的杂质C、药物中所含杂质的最大允许量D、自然界中存在较广泛在多种药物的生产和贮藏过程中容易引入的杂质E、杂质本身一般无害但其含量多少可以反映出药物纯度水平
考题
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应；③杂质的蒸发效应；④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；⑤加入杂质量；A、①②④B、②④⑤C、①②④⑤D、①②③④⑤
考题
单选题影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应；③杂质的蒸发效应；④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；⑤加入杂质量；A
①②④B
②④⑤C
①②④⑤D
①②③④⑤
考题
单选题掺有杂质的半导体在光照下，中性施主的束缚电子可以吸收光子而跃迁到导带，同样，中性受主的束缚空穴可以吸收光子而跃迁到价带，这种吸收称为（）A
本征吸收B
杂质吸收C
激子吸收D
晶格吸收
考题
单选题下列不是补锡助焊剂功能的是（）。A
去除母材表面的杂质B
去除焊料的杂质C
增加焊料对母材的湿润性D
冷却母材表面避免温度过高
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