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问答题
描述GTR的二次击穿特性。

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考题 GTR存在二次击穿现象。()
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考题 IGBT综合了()和MOSFET的优点,具有良好的特性。 A、GTMB、GTNC、GTOD、GTR
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考题 当GTR发生的一次击穿，（）
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考题 当GTR发生的二次击穿，（）
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考题 电力场效应管MOSFET（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
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考题 GTR的主要缺点之一是（）A、开关时间长B、高频特性差C、通态压降大D、有二次击穿现象
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考题 功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止
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考题 关于二次击穿，以下说法正确的是（）。A、大功率晶体管GTR不会发生二次击穿B、功率MOSFET不会发生二次击穿C、二次击穿可能使器件永久性损坏D、二次击穿的过程很短暂
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考题 在GTR作为开关的电路中，若在转换的过程中出现从高电压小电流到低电压大电流的现象，则说明晶体管（）A、失控B、二次击穿C、不能控制关断D、不能控制开通
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考题 PN结的伏安特性方程可以描述其正向特性和反向特性，也可以描述其击穿特性。
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考题 GTR的优点是控制方便、开关时间短，低频特性好，缺点是存在局部过热现象，可能导致二次击穿。
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考题 电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
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考题 描述GTR的二次击穿特性。
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考题 试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
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考题 单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A 有二次击穿B 无二次击穿C 防止二次击穿D 无静电击穿
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考题 判断题GTR的输出特性曲线中共分五个区：截止、放大、浅饱和、深度饱和、击穿。作为开关元件一般来说应工作在截止和浅饱和区。A 对B 错
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考题 问答题描述GTR的二次击穿特性。
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考题 填空题当GTR发生的二次击穿，（）
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考题 单选题功率晶体管（GTR）从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A 一次击穿B 二次击穿C 临界饱和D 反向截至
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考题 填空题当GTR发生的一次击穿，（）
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考题 问答题试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
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考题 单选题在GTR作为开关的电路中，若在转换的过程中出现从高电压小电流到低电压大电流的现象，则说明晶体管（）A 失控B 二次击穿C 不能控制关断D 不能控制开通
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