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当GTR发生的一次击穿，（）

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考题 GTR存在二次击穿现象。()
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考题 什么是GTR的二次击穿现象以及二次击穿的危害。
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考题 当半导体二极管的反向击穿电压大于6V,主要发生何种击穿现象?() A.雪崩击穿B.齐纳击穿C.热击穿D.碰撞击穿
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考题 当电压达到一定值时，变压器套管等瓷质设备表面的空气发生放电，叫做（）气体放电;气体击穿;瓷质击穿;沿面放电
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考题 当GTR发生的二次击穿，（）
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考题 做（）试验时绝缘被击穿，形成间隙性放电，当所加电压达到某一定值时，发生击穿，当电压降到某一值时，绝缘恢复而不发生击穿。A、导体直流电阻B、电缆绝缘C、振荡波D、预防性
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考题 当有接地体靠近间隙时，会使间隙的击穿电压发生变化，这种现象称为极性效应
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考题 GTR的主要缺点之一是（）A、开关时间长B、高频特性差C、通态压降大D、有二次击穿现象
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考题 当电场强度达到足以击穿空气的程度时，就能发生对地放电。
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考题 GTR的输出特性曲线中共分五个区：截止、放大、浅饱和、深度饱和、击穿。作为开关元件一般来说应工作在截止和浅饱和区。
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考题 关于二次击穿，以下说法正确的是（）。A、大功率晶体管GTR不会发生二次击穿B、功率MOSFET不会发生二次击穿C、二次击穿可能使器件永久性损坏D、二次击穿的过程很短暂
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考题 齐纳击穿时的击穿电压约（）V，当反向击穿电压（）时，为雪崩击穿。齐纳击穿具有电压温度系数，而雪崩击穿具有（）电压温度系数。
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考题 当半导体二极管的反向击穿电压小于6V时，主要发生何种击穿（）A、雪崩击穿B、齐纳击穿C、热击穿D、碰撞击穿
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考题 GTR的优点是控制方便、开关时间短，低频特性好，缺点是存在局部过热现象，可能导致二次击穿。
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考题 功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止
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考题 描述GTR的二次击穿特性。
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考题 试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
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考题 当绝缘材料发生击穿放电则永远失去介电强度。
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考题 变压器交流耐压过程中，变压器内部有放电声，电流表指示发生变化，表示绝缘被击穿。当进行重复试验时试验电压比第一次低，说明变压器内部可能存在（）。A、间隙贯穿性击穿B、铁芯接地不良C、固体绝缘被击穿D、以上都正确
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考题 下列关于闪络性故障叙述正确的是（）A、这类故障大多数在运行中发生，并多出现在电缆中间接头和终端头B、试验时绝缘被击穿，形成间隙性放电，当所加电压达到某一定值时，发生击穿C、当电压降至某一值时，绝缘恢复而不发生击穿D、有时还会出现绝缘击穿后又恢复正常，即使提高试验电压，也不再击穿的现象
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考题 当高压电缆击穿造成短路时，一次电压和电流斗很小。
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考题 填空题当GTR发生的一次击穿，（）
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考题 问答题描述GTR的二次击穿特性。
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考题 填空题当GTR发生的二次击穿，（）
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考题 单选题功率晶体管（GTR）从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A 一次击穿B 二次击穿C 临界饱和D 反向截至
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考题 问答题试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
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考题 判断题GTR的输出特性曲线中共分五个区：截止、放大、浅饱和、深度饱和、击穿。作为开关元件一般来说应工作在截止和浅饱和区。A 对B 错
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