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当GTR发生的二次击穿，（）

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考题 GTR存在二次击穿现象。()
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考题 什么是GTR的二次击穿现象以及二次击穿的危害。
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考题 当二次电压正常,二次电流显著降低时,可能发生了()。 A、电晕线断线B、阴极或阳极的振打装置失灵C、电缆击穿D、气流分布板孔眼被堵
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考题 当半导体二极管的反向击穿电压大于6V,主要发生何种击穿现象?() A.雪崩击穿B.齐纳击穿C.热击穿D.碰撞击穿
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考题 当二次电压正常，二次电流显著降低，可能是因为（）造成的。A电晕极断线；B电晕线肥大；C电缆击穿；D气流分布板孔眼被堵。
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考题 当表盘显示二次电压低，二次电流正常，则可能发生了（）。A、电晕线断线，其残留段摆动B、电晕线肥大C、电缆击穿D、气流分布板堵
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考题 当GTR发生的一次击穿，（）
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考题 当表盘显示二次电流不稳定，毫安表指针急剧摆动，则可能发生了（）。A、电晕线断线，其残留段摆动B、电晕线肥大C、电缆击穿D、气流分布板堵
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考题 电力场效应管MOSFET（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
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考题 GTR的主要缺点之一是（）A、开关时间长B、高频特性差C、通态压降大D、有二次击穿现象
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考题 IGBT的主体部分与GTR类似，控制部分与场效应管类似，下面属于IGBT具有的优点的有（）A、电磁噪音很小B、电流波形大为改善，电机的转矩增大C、IGBT管二次击穿现象小D、最大管子容量比GTO管大的多
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考题 功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止
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考题 关于二次击穿，以下说法正确的是（）。A、大功率晶体管GTR不会发生二次击穿B、功率MOSFET不会发生二次击穿C、二次击穿可能使器件永久性损坏D、二次击穿的过程很短暂
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考题 在GTR作为开关的电路中，若在转换的过程中出现从高电压小电流到低电压大电流的现象，则说明晶体管（）A、失控B、二次击穿C、不能控制关断D、不能控制开通
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考题 当半导体二极管的反向击穿电压小于6V时，主要发生何种击穿（）A、雪崩击穿B、齐纳击穿C、热击穿D、碰撞击穿
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考题 GTR的优点是控制方便、开关时间短，低频特性好，缺点是存在局部过热现象，可能导致二次击穿。
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考题 电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
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考题 描述GTR的二次击穿特性。
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考题 试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
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考题 单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A 有二次击穿B 无二次击穿C 防止二次击穿D 无静电击穿
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考题 单选题当表盘显示二次电压低，二次电流正常，则可能发生了（）。A 电晕线断线，其残留段摆动B 电晕线肥大C 电缆击穿D 气流分布板堵
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考题 问答题描述GTR的二次击穿特性。
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考题 填空题当GTR发生的二次击穿，（）
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考题 单选题功率晶体管（GTR）从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A 一次击穿B 二次击穿C 临界饱和D 反向截至
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考题 填空题当GTR发生的一次击穿，（）
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考题 问答题试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
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考题 单选题在GTR作为开关的电路中，若在转换的过程中出现从高电压小电流到低电压大电流的现象，则说明晶体管（）A 失控B 二次击穿C 不能控制关断D 不能控制开通
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