考题
纳米铜（晶体尺寸为8纳米）的自扩散系数比晶格扩散技术增大（）倍A、 40~49B、 30~39C、 20~29D、 10~19
考题
声波测井仪晶体一般采用（），发射晶体固有频率一般为（）。
考题
一般晶体中的扩散为（）。A、空位扩散B、间隙扩散C、易位扩散D、A和B
考题
空位扩散是指晶体中的空位跃迁入邻近原子，而原子反向迁入空位，这种扩散机制适用于（）的扩散A、各种类型固溶体B、间隙型固溶体C、置换型固溶体D、A和B
考题
试分析离子晶体中，阴离子扩散系数－般都小于阳离子扩散系数的原因。
考题
同一种物质在晶体中的扩散系数（）在玻璃中的扩散系数。A、大于B、等于C、小于D、不确定
考题
简述温度、固溶体类型、晶体结构、晶体学各向异性、浓度、晶体缺陷、第三元对扩散系数的影响及其原因。
考题
根据晶体生长扩散学说，晶体的生长包括（）、（）和（）三个过程。
考题
扩散硅式压力变送器的工作主要是基于（）。A、硅晶体的压阻效应B、硅晶体的扩散效应C、硅晶体的应变效应D、硅晶体的半导体特性
考题
在晶体扩散模型中，（）和（）是最重要的两种扩散机制。
考题
在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响，主要是通过（），使得扩散系数增大。A、增加缺陷浓度B、使晶格发生畸变C、降低缺陷浓度D、A和B
考题
填空题在晶体扩散模型中，（）和（）是最重要的两种扩散机制。
考题
单选题纳米铜（晶体尺寸为8纳米）的自扩散系数比晶格扩散技术增大（）倍A
40~49B
30~39C
20~29D
10~19
考题
填空题晶体中五种扩散机制为（）、（）、（）、（）和（），其中（）是离子晶体中最常见的扩散机制，其扩散活化能包括（）和（）。
考题
问答题试分析离子晶体中，阴离子扩散系数－般都小于阳离子扩散系数的原因。
考题
填空题根据晶体生长扩散学说，晶体的生长包括（）、（）和（）三个过程。
考题
单选题晶体的表面扩散系数Ds、界面扩散系数Dg和体积扩散系数Db之间存在（）的关系。A
DsDgDbB
DbC.DgDsDbC
Dg
考题
单选题同一种物质在晶体中的扩散系数（）在玻璃中的扩散系数。A
大于B
等于C
小于D
不确定
考题
单选题一般情况下，离子晶体中，尺寸较大离子的扩散多是通过（）机构进行的。A
间隙B
空位C
环易位D
直接易位
考题
判断题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种：间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。A
对B
错
考题
填空题如晶体纯度降低，扩散系数与温度关系曲线中本征与非本征扩散的转折点（）。
考题
判断题满足双极晶体管的正常工作，需要晶体管的基区非常薄，小于少子的扩散长度才可，这样使扩散远远大于复合。A
对B
错
考题
填空题离子在晶体中扩散是通过（）的方式进行的。
考题
单选题扩散硅式压力变送器的工作主要是基于（）。A
硅晶体的压阻效应B
硅晶体的扩散效应C
硅晶体的应变效应D
硅晶体的半导体特性