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填空题
晶体中五种扩散机制为（）、（）、（）、（）和（），其中（）是离子晶体中最常见的扩散机制，其扩散活化能包括（）和（）。

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考题 一般晶体中的扩散为（）。A、空位扩散B、间隙扩散C、易位扩散D、A和B
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考题 扩散相与扩散介质性质差异越大，（）。A、扩散活化能越大B、扩散系数越大C、扩散活化能不变D、扩散系数越小
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考题 空位扩散是指晶体中的空位跃迁入邻近原子，而原子反向迁入空位，这种扩散机制适用于（）的扩散A、各种类型固溶体B、间隙型固溶体C、置换型固溶体D、A和B
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考题 在晶体扩散模型中，（）和（）是最重要的两种扩散机制。
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考题 由于处于晶格位置和间隙位置的粒子势能的不同，在易位扩散、间隙扩散和空位扩散三种机制中，其扩散活化能的大小为（）。A、易位扩散=间隙扩散空位扩散B、易位扩散间隙扩散=空位扩散C、易位扩散间隙扩散空位扩散D、易位扩散间隙扩散空位扩散
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考题 单选题扩散过程与晶体结构有密切的关系，扩散介质结构（），扩散（）。A 越紧密；越困难B 越疏松；越困难C 越紧密；活化能越小D 越疏松；活化能越大
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考题 名词解释题晶体中的扩散
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考题 填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
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考题 单选题晶体的表面扩散系数Ds、界面扩散系数Dg和体积扩散系数Db之间存在（）的关系。A DsDgDbB DbC.DgDsDbC Dg
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考题 单选题一般晶体中的扩散为（）。A 空位扩散B 间隙扩散C 易位扩散D A和B
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考题 单选题某晶体材料的扩散系数lnD与1/T关系曲线在不同温度区间出现了不同斜率的直线，这主要是由于（）所致。A 扩散系数不同B 扩散活化能不同C 扩散机构改变D 扩散温度不同
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