考题
在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。
A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压
考题
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。
A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压
考题
加到半导体中的杂质可以分成()种类型,一种杂质加到半导体中去后,在半导体中会产生许多带负电的(),这种半导体叫做()半导体。
考题
在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。
A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度
考题
晶体管具备电流放大的内部条件是()。
A.基区薄而其杂质浓度低B.基区杂质浓度高C.降低发射区杂质浓度D.加强电子在基区的复合
考题
在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷E.空穴F.自由电子
考题
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。()
此题为判断题(对，错)。
考题
在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷
考题
第二类回火脆性产生的原因是（）的缘故。A、晶粒边界杂质浓度增高B、晶粒边界杂质浓度降低C、晶粒内部杂质浓度增高D、晶粒内部杂质浓度降低
考题
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
考题
加到半导体中的杂质可以分成（）种类型。一种杂质加到半导体中去后，在半导体中会产生许多缺少电子的（）。这种半导体叫做（）型半导体。
考题
如果原料气中杂质浓度过高，则应及时缩短（），并适当降低（）。
考题
晶体管具备电流放大的内部条件是（）。A、基区薄而其杂质浓度低B、基区杂质浓度高C、降低发射区杂质浓度D、加强电子在基区的复合
考题
在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷E、空穴F、自由电子
考题
在纯净的半导体中掺入不同的杂质，可形成两种不同的杂质半导体，即N型半导体和（）半导体。
考题
结晶溶液中，杂质对结晶的影响有（）。A、杂质浓度低，对结晶无明显影响B、杂质浓度高，影响结晶纯度C、杂质浓度高，改变晶习D、杂质浓度高，影响结晶的理化性质和生物活性
考题
半导体应变片的灵敏度随（）的不同而不同A、半导体材料；B、杂质浓度；C、载荷的大小；D、半导体尺寸
考题
在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
考题
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
考题
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
考题
杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）A、温度B、杂质浓度C、电子空穴对数目D、都不是
考题
在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺
考题
半导体三极管工作过程中（）。A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。
考题
判断题扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。A
对B
错
考题
单选题结晶溶液中，杂质对结晶的影响有（）。A
杂质浓度低，对结晶无明显影响B
杂质浓度高，影响结晶纯度C
杂质浓度高，改变晶习D
杂质浓度高，影响结晶的理化性质和生物活性
考题
单选题杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）A
温度B
杂质浓度C
电子空穴对数目D
都不是
考题
填空题（）是半导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。
