考题
1mol理想气体向真空膨胀,若其体积增加到原来的10倍,则系统、环境和孤立系统的熵变应分别为:()、()、()。
考题
计算机电源系统的所有接点均应镀()处理，冷压连接。A、铜B、铝C、铜或铝D、铅锡
考题
本质安全电气系统的电路必须采用铝芯线,严禁采用铜芯线。()
此题为判断题(对，错)。
考题
提高铝上镀层结合力的关键在于仔细清除铝表面上的自然氧化膜并防止它重新生成,通常要在铝基上预镀一层与之结合牢固的底层或中间层。()
此题为判断题(对，错)。
考题
在爆炸危险场所铜、铝导线相互连时必须采用铜铝过渡接头。此题为判断题(对，错)。
考题
在爆炸危险场所铜、铝导线相互连时必须采用铜铝过渡接头。A对B错
考题
（）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。A、蒸镀B、离子注入C、溅射D、沉积
考题
铜与铝相比较，其性质有（）。A、铜的电阻率比铝小B、铝的熔点较高C、铝的抗电迁移能力较弱D、铜与硅的接触电阻较小E、铜可以在低温下淀积
考题
简述真空掩膜蒸镀技术实现红绿蓝像素并置全彩色方案的工艺流程。
考题
印刷电路按制作方法不同可以分为（）、（）、印刷法和真空蒸镀。
考题
眼镜片镀膜的方法包括（）。真空镀膜工艺设备为真空镀膜机，通常选择（）和（）作为加热的金属，不选择铁。化学镀膜法通常用酸蚀法镀增透膜，用还原法镀反射膜。常用（）。
考题
微型计算机控制系统设计中，其软、硬件的设计应分别从哪几方面进行考虑？
考题
简述热蒸镀（真空蒸发）膜与离子溅射膜的区别和优缺点。
考题
在爆炸危险场所铜、铝导线相互连时必须采用铜铝过渡接头。
考题
制造电极的方法有三种（）是目前在商品化电池生产中大量采用的工艺方法。A、真空蒸镀法B、铝浆印刷烧结法C、化学镀镍法D、其他
考题
薄膜热电偶采用真空蒸镀方法，将热电偶材料蒸镀在绝缘基板上。
考题
铝合金型材间的相互连接件：一般采用铝角件连接法，铝角件通常分为（）mm和（）mm厚铝角。
考题
鼠笼型异步电动机采用铸铝工艺时，最常用的方法是（）铸铝和（）铸铝。
考题
判断题在爆炸危险场所铜、铝导线相互连时必须采用铜铝过渡接头。A
对B
错
考题
问答题微型计算机控制系统设计中，其软、硬件的设计应分别从哪几方面进行考虑？
考题
问答题0.13um以下集成电路技术中，通常采用不着Cu来替代铝做互连的原因是什么？
考题
填空题印刷电路按制作方法不同可以分为（）、（）、印刷法和真空蒸镀。
考题
问答题解释铝已经被选择作为微芯片互连金属的原因。
考题
填空题要实现金属互连线与Si的良好欧姆接触，还必须做（）处理。为了避免铝钉扎和电迁移现象，常用（）、（）合金和（）替代纯铝。铝合金化工艺的条件是：（）
考题
填空题铝合金型材间的相互连接件：一般采用铝角件连接法，铝角件通常分为（）mm和（）mm厚铝角。
考题
问答题以铝互连系统作为一种电路芯片的电连系统时，若分别采用真空蒸镀和磁控溅射工艺淀积铝膜，应分别从哪几方面来提高其台阶覆盖特性？
考题
填空题眼镜片镀膜的方法包括（）。真空镀膜工艺设备为真空镀膜机，通常选择（）和（）作为加热的金属，不选择铁。化学镀膜法通常用酸蚀法镀增透膜，用还原法镀反射膜。常用（）。