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填空题
陶瓷结晶釉中,常加入硅酸锌和氧化锌作为(),这是因为非均匀成核比均匀成核的(),析晶过程容易进行。

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考题 在结晶化热处理工艺过程中,不影响铸造陶瓷材料晶体形成数量和性能的因素是A、成核剂B、成核温度C、结晶化温度D、结晶化热处理升温速度E、冷却温度

考题 结晶过程中,成核现象可以分为三种形式,其中不包括()。A、初级均相成核B、初级非均相成核C、二次成核D、接触成核

考题 均匀成核的成核速率Iv由() 和 () 因子所决定的。

考题 加晶种控制结晶,使溶液的过饱和度控制在介稳区中,不会出现()现象A、初级成核B、次级成核C、均相成核D、非均相成核

考题 加晶种诱导成核过程称()A、初级成核B、次级成核C、均相成核D、非均相成核

考题 在成核-生长机制的液-固相变过程中,其成核过程有非均匀成核与均匀成核之分。将非均匀成核与均匀成核过程的成核势垒相比较,有如下关系()。A、非均匀成核势垒≥均匀成核势垒B、非均匀成核势垒≤均匀成核势垒C、非均匀成核势垒=均匀成核势垒D、视具体情况而定,以上三种均可能。

考题 在相同条件下,非均匀成核与均匀成核比较,非均匀成核()。A、晶核数目更多B、晶核大小更均匀C、需要更大的过冷度D、均不对

考题 依靠相界、晶界或基质的结构缺陷等不均匀部位而成核的过程,称为()又称()

考题 在气泡周围容易发生均匀成核。

考题 成核过程可以分为均匀和()。

考题 液-固相变时,非均匀成核位垒与接触角θ有关,当θ为()时,非均匀成核位垒与均匀成核位垒相等。

考题 非均匀成核

考题 非均匀成核, 一级相变

考题 何谓晶核?何谓均匀成核?何谓非均匀成核?

考题 结晶釉的析晶过程可以分成()阶段和()阶段。

考题 问答题简述均匀相成核和非均匀相成核。

考题 填空题从熔体中析晶的过程分二步完成,首先是(),然后就是()过程。均匀成核的成核速率由()因子和()因子所决定的。

考题 问答题何谓晶核?何谓均匀成核?何谓非均匀成核?

考题 单选题二次再结晶是指()A 少数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程B 多数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程C 晶粒不断成核长大的过程D 少数大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程

考题 单选题晶核的成核位垒越低,析晶过程越容易进行,按析晶过程由易到难的顺序排列,下列正确的是()A 均匀成核非均匀成核润湿的非均匀成核B 非均匀成核润湿的非均匀成核均匀成核C 润湿的非均匀成核非均匀成核均匀成核D 润湿的非均匀成核均匀成核非均匀成核

考题 名词解释题非均匀成核

考题 单选题在相同条件下,非均匀成核与均匀成核比较,非均匀成核()。A 晶核数目更多B 晶核大小更均匀C 需要更大的过冷度D 均不对

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考题 填空题液-固相变时,非均匀成核位垒与接触角θ有关,当θ为()时,非均匀成核位垒与均匀成核位垒相等。

考题 单选题在结晶过程中,为了控制药物的晶型,常采用的结晶机制是()A 初级成核B 次级成核C 冷却结晶D 加入晶核生长结晶

考题 问答题什么是均匀成核?什么是非均匀成核?