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问答题
解释临界晶核半径r*和形核功△G*的意义,以及为什么形核要有一定过冷度?
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考题
下述说法哪些正确?在相同过冷度的条件下,()A、非均匀形核比均匀形核的形核率高;B、均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径;C、非均匀形核比均匀形核需要的形核功小;D、非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。
考题
多选题关于均匀形核,以下说法正确的是()。A体积自由能的变化只能补偿形成临界晶核表面所需能量的三分之二B非均匀形核比均匀形核难度更大C结构起伏是促成均匀形核的必要因素D能量起伏是促成均匀形核的必要因素E过冷度△T越大,则临界半径越大
考题
问答题指出下列错误之处,并改正之。 1、所谓临界晶核,就是体积自由能的减少完全补偿表面自由能增加时的晶胚大小。 2、在液态金属中,凡是涌现出小于临界晶核半径的晶胚都不能形核,但是只要有足够的能量起伏提供形核功,还是可以形核。 3、无论温度分布如何,常用纯金属都是树枝状方式生长。
考题
多选题下述说法哪些正确?在相同过冷度的条件下,()A非均匀形核比均匀形核的形核率高;B均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径;C非均匀形核比均匀形核需要的形核功小;D非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。
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