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问答题
证明在相同的过冷度下均质形核时，球形晶核与立方形晶核哪种更易形成。

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考题 晶核的形成有（）方式。A、自发形核（异质形核）B、非自发形核（异质形核）C、自发形核（均质形核）D、非自发形核（均质形核）
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考题 熔池晶核长大时所增加的表面能形成晶核时所增加的表面能要小，所以，晶粒长大比形核所需的过冷度（）.A、要小B、要大C、相等
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考题 连铸钢液非均质形核主要是依靠（）形成的。A、加入晶核B、耐火材料C、结晶器铜壁D、高熔点夹杂物
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考题 金属熔液在结晶凝固时若液相中各个区域出现新相晶核的几率都是相同的，这种形核方式叫做均匀形核。
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考题 当晶核长大时，随过冷度增大，晶核的长大速度增大。但当过冷度很大时，晶核长大的速度很快减小。
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考题 钢液凝固过程中，过冷度越小，晶核临界半径越大，晶核就难以形成。
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考题 只依靠液体本身在一定的过冷条件下形成的晶核过程叫做（）。A、自发形核B、非自发形核C、结晶D、形核
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考题 结晶过程是（）的过程。A、形核及晶核长大B、形核及晶核转变C、晶核及质点长大D、晶核及质点转变
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考题 金属凝固时，临界晶核半径大小（）A、与晶核表面能、过冷度成反比B、与晶核表面能成正比，与过冷度成反比C、与晶核表面能、过冷度成正比D、与晶核表面能成反比，与过冷度成正比
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考题 下述说法哪些正确？在相同过冷度的条件下，（）A、非均匀形核比均匀形核的形核率高；B、均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径；C、非均匀形核比均匀形核需要的形核功小；D、非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。
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考题 在相同条件下，非均匀成核与均匀成核比较，非均匀成核（）。A、晶核数目更多B、晶核大小更均匀C、需要更大的过冷度D、均不对
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考题 过冷是晶核形成的必要条件。（）
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考题 随着过冷度的增大，晶核形核率N（），长大率G（）。
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考题 其它条件不变的情况下，提高过冷度，下面哪个现象不会发生（）A、可能出现的最大晶坯尺寸变大B、临界晶核半径变大C、形核功减小D、形核率增加
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考题 下述说法哪些正确？非均匀形核时，θ角越小，形核越容易。这是因为（）A、临界晶核的体积和表面积越小；B、形核需要的过冷度越小；C、需要的形核功越小。。
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考题 问答题解释临界晶核半径r*和形核功△G*的意义，以及为什么形核要有一定过冷度？
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考题 填空题随着过冷度的增大，晶核形核率N（），长大率G（）。
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考题 判断题当晶核长大时，随过冷度的增大，晶核的长大速度增大，但当过冷度很大时，晶核长大的速度很快减小。A 对B 错
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考题 判断题当晶核长大时，随过冷度增大，晶核的长大速度增大。但当过冷度很大时，晶核长大的速度很快减小。A 对B 错
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考题 单选题金属结晶后，其晶粒的粗细与结晶时（）有关。A 形核率和形核速度B 形核速度和形核面积C 形核率和晶核长大速度D 晶粒度和晶核长大速度
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考题 单选题金属凝固时，临界晶核半径大小（）A 与晶核表面能、过冷度成反比B 与晶核表面能成正比，与过冷度成反比C 与晶核表面能、过冷度成正比D 与晶核表面能成反比，与过冷度成正比
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考题 单选题在相同条件下，非均匀成核与均匀成核比较，非均匀成核（）。A 晶核数目更多B 晶核大小更均匀C 需要更大的过冷度D 均不对
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考题 判断题在金属的结晶中，随着过冷度的增大，晶核的形核率N和长大率G都增大，在N/G增大的情况下晶粒细化。A 对B 错
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考题 多选题下述说法哪些正确？非均匀形核时，θ角越小，形核越容易。这是因为（）A临界晶核的体积和表面积越小；B形核需要的过冷度越小；C需要的形核功越小。。
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考题 单选题实际金属结晶形成晶核时，主要是哪种形核方式（）。A 自发形核B 非自发形核C 平面形核
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考题 单选题其它条件不变的情况下，提高过冷度，下面哪个现象不会发生（）A 可能出现的最大晶坯尺寸变大B 临界晶核半径变大C 形核功减小D 形核率增加
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考题 多选题下述说法哪些正确？在相同过冷度的条件下，（）A非均匀形核比均匀形核的形核率高；B均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径；C非均匀形核比均匀形核需要的形核功小；D非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。
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