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名词解释题
临界形核功

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考题 晶核的形成有()方式。A、自发形核(异质形核)B、非自发形核(异质形核)C、自发形核(均质形核)D、非自发形核(均质形核)

考题 液态金属结晶的基本过程是()。A、边形核边长大B、先形核后长大C、自发形核非自发形核D、晶枝生长

考题 在没有外部供给能量的条件下,形核功依靠液体本身存在的()来供给。

考题 下述说法哪些正确?在相同过冷度的条件下,()A、非均匀形核比均匀形核的形核率高;B、均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径;C、非均匀形核比均匀形核需要的形核功小;D、非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。

考题 非均匀形核的形核功与接触角θ有关,θ角(),形核功越小,形核率越高。A、越小B、越大C、为90°D、以上都不对

考题 非均匀形核所需要的形核功大于均匀形核所需要的形核功。

考题 其它条件不变的情况下,提高过冷度,下面哪个现象不会发生()A、可能出现的最大晶坯尺寸变大B、临界晶核半径变大C、形核功减小D、形核率增加

考题 临界形核功

考题 形核功

考题 下述说法哪些正确?非均匀形核时,θ角越小,形核越容易。这是因为()A、临界晶核的体积和表面积越小;B、形核需要的过冷度越小;C、需要的形核功越小。。

考题 问答题解释临界晶核半径r*和形核功△G*的意义,以及为什么形核要有一定过冷度?

考题 名词解释题临界晶核形核功

考题 多选题关于均匀形核,以下说法正确的是()。A体积自由能的变化只能补偿形成临界晶核表面所需能量的三分之二B非均匀形核比均匀形核难度更大C结构起伏是促成均匀形核的必要因素D能量起伏是促成均匀形核的必要因素E过冷度△T越大,则临界半径越大

考题 名词解释题临界形核半径

考题 填空题在没有外部供给能量的条件下,形核功依靠液体本身存在的()来供给。

考题 名词解释题形核功

考题 单选题形成临界晶核时需要的形核功由什么提供?()A 由外界加热提供;B 由能量起伏提供;C 由体积自由能提供。

考题 判断题非均匀形核所需要的形核功大于均匀形核所需要的形核功。A 对B 错

考题 填空题在过冷度不很大时,形核率主要受形核功因子的控制,当过冷度非常大时,形核率主要受()的控制。

考题 多选题以下说法中,()说明了非均匀形核与均匀形核之间的差异。A非均匀形核所需过冷度更小B均匀形核比非均匀形核难度更大C一旦满足形核条件,均匀形核的形核率比非均匀形核更大D均匀形核试非均匀形核的一种特例E实际凝固过程中既有非均匀形核,又有均匀形核

考题 问答题指出下列错误之处,并改正之。 1、所谓临界晶核,就是体积自由能的减少完全补偿表面自由能增加时的晶胚大小。 2、在液态金属中,凡是涌现出小于临界晶核半径的晶胚都不能形核,但是只要有足够的能量起伏提供形核功,还是可以形核。 3、无论温度分布如何,常用纯金属都是树枝状方式生长。

考题 多选题下述说法哪些正确?非均匀形核时,θ角越小,形核越容易。这是因为()A临界晶核的体积和表面积越小;B形核需要的过冷度越小;C需要的形核功越小。。

考题 单选题实际金属结晶形成晶核时,主要是哪种形核方式()。A 自发形核B 非自发形核C 平面形核

考题 单选题其它条件不变的情况下,提高过冷度,下面哪个现象不会发生()A 可能出现的最大晶坯尺寸变大B 临界晶核半径变大C 形核功减小D 形核率增加

考题 判断题临界形核尺寸与其形状有密切关系。A 对B 错

考题 单选题非均匀形核的形核功与接触角θ有关,θ角(),形核功越小,形核率越高。A 越小B 越大C 为90°D 以上都不对

考题 多选题下述说法哪些正确?在相同过冷度的条件下,()A非均匀形核比均匀形核的形核率高;B均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径;C非均匀形核比均匀形核需要的形核功小;D非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。