考题
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A.砸鼓检测器B.IP成像转换器C.直接转换平板探测器D.间接转换平板探测器E.多丝正比室检测器
考题
数字X线摄影(DR)不包括A.直接转换平板探测器B.间接转换平板探测器C.多丝正比室探测器D.闪烁体+CCD摄像机阵列E.线扫描计算机X线摄影
考题
多丝正比电离室探测器是A.间接探测器
B.直接探测器
C.动态探测器
D.平板探测器
E.模拟探测器
考题
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A.IP成像转换器
B.直接转换平板探测器
C.间接转换平板探测器
D.硒鼓检测器
E.多丝正比室检测器
考题
属于DR成像直接转换方式的部件是A.闪烁体+CCD摄像机阵列
B.非晶硒平板探测器
C.碘化铯+非晶硅探测器
D.半导体狭缝线阵探测器
E.多丝正比电离室
考题
属于DR成像间接转换方式的部件是A.增感屏
B.非晶硒平板探测器
C.碘化铯+非晶硅探测器
D.半导体狭缝线阵探测器
E.多丝正比电离室
考题
关于DR探测器的类型，错误的是A.非晶硒平板型探测器
B.非晶硅平板型探测器
C.碘化铯平板型探测器
D.多丝正比室扫描DR
E.CCD摄像机型DR
考题
需通过光敏元件成像的探测器是（）A、空气电离室B、CCD探测器C、多丝正比电离室D、半导体狭缝扫描仪E、直接转换平板探测器
考题
属于DR成像直接转换方式的部件是（）A、闪烁体+CCD摄像机阵列B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室
考题
属于DR成像间接转换方式的部件是（）A、增感屏B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室
考题
应用碘化铯闪烁体和非晶硅管阵列技术制成的探测器是（）A、硒鼓探测器，B、IP成像转换器，C、直接转换平板探测器，D、间接转换平板探测器，E、多丝正比室检测器
考题
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）A、硒鼓检测器B、IP成像转换器C、直接转换平板探测器D、间接转换平板探测器E、多丝正比室检测器
考题
多丝正比电离室探测器是（）A、直接探测器B、间接探测器C、模拟探测器D、平板探测器E、动态探测器
考题
单选题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（ ）。A
硒鼓检测器B
CR成像板（IP）C
直接转换平板探测器D
间接转换平板探测器E
多丝正比室检测器
考题
单选题属于DR成像间接转换方式的部件是（）A
增感屏B
非晶硒平板探测器C
碘化铯+非晶硅探测器D
半导体狭缝线阵探测器E
多丝正比电离室
考题
单选题属于DR成像直接转换方式的部件是（）A
闪烁体+CCD摄像机阵列B
非晶硒平板探测器C
碘化铯+非晶硅探测器D
半导体狭缝线阵探测器E
多丝正比电离室
考题
单选题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）A
硒鼓检测器B
IP成像转换器C
直接转换平板探测器D
间接转换平板探测器E
多丝正比室检测器
考题
单选题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（ ）。A
间接转换平板探测器B
硒鼓检测器C
直接转换平板探测器D
IP成像转换器E
多丝正比室检测器
考题
单选题需通过光敏元件成像的探测器是（）A
空气电离室B
CCD探测器C
多丝正比电离室D
半导体狭缝扫描仪E
直接转换平板探测器
考题
单选题目前最常用的DR系统为（ ）。A
CsI＋CCD阵列B
非晶硅平板探测器C
非晶硒平板探测器D
多丝正比电离室E
计算机X线摄影
考题
单选题数字X线摄影（DR）不包括（ ）。A
直接转换平板探测器B
间接转换平板探测器C
多丝正比室探测器D
闪烁体＋CCD摄像机阵列E
线扫描计算机X线摄影