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晶体三极管是由（）个PN结组成，分成基区、发射区、集电区.

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考题 晶体三极管由()PN结组成,分成基区、发射区和集电区。 A、一个B、两个C、三个D、四个
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考题 关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积
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考题 位于集电区与基区之间的PN结称为()。A、基极B、发射结C、集电结D、以上选项均不正确
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考题 晶体管能够放大的内部条件是()。 A.两个背靠背的PN结B.自由电子与空穴都参与导电C.有三个掺杂浓度不同的区域D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大
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考题 在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。A、基区B、集电区C、发射区D、饱和区
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考题 三极管是有三层半导体材料组成的，有三个区域，中间的一层为（）A、基区B、栅区C、集电区D、发射区
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考题 晶体管的内部结构分为三个区，即发射区、基区和集电区；两个结为发射和集电结。
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考题 三极管是由三层半导体材料组成的。有三个区域，中间的一层为（）。A、基区B、栅区C、集电区D、发射区
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考题 晶体三极管它有三个区和三个引出电极，分别是（）。A、集电区（极）B、基区（极）C、控制区（极）D、发射区（极）
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考题 晶体管热噪声主要存在于（）电阻内。A、基区B、发射区C、集电区D、发射区和集电区
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考题 下列关于晶体三极管说法证确的是（）。A、发射区与基区交界处的PN结为发射结B、基区与集电区交界处的PN结为发射结C、发射区与基区交界处的PN结为集电结D、发射区与集电区交界处的PN结为集电结
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考题 叙述晶体三极管电流的传输过程（）。A、发射区向基区注入载流子过程B、少数载流子，在基区扩散与复合过程C、集电区收集载流子的过程D、基区向发射区注入载流子过程
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考题 晶体三极管从结构上划分，有如下：（）。A、发射区B、基区C、集电区D、放大区
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考题 晶体三极管是由（）A、2个PN结组成，具有单向导电特性B、2个PN结组成，具有电压和电流放大特性C、2个PN结组成，具有电流放大特性D、2个PN结组成，具有电压放大特性E、 3个PN结组成，具有电压和电流放大特性
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考题 PN结位于发射区与基区之间被称为（）。A、基极B、发射结C、集电结D、以上选项均不正确
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考题 三极管有（）型和（）型两种结构，三极管中集电区与基区之间的PN结称为（）结，基区与发射区之间的PN结成为（）结。
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考题 晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。
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考题 半导体三极管内部有发射区、基区和集电区三部分，结合处形成两个PN结，分别称为发射结和（）。A、集中结B、集成结C、集电结D、集合结
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考题 三极管最薄的区是（）。A、发射区B、集电区C、基区
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考题 半导体三极管工作过程中（）。A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。
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考题 晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。
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考题 晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电级电流。
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考题 三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。A、集中结B、集成结C、集电结D、集合结
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考题 三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。
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考题 三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射结和（）。A、集中结B、集成结C、集电结
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考题 单选题晶体管是由单层半导体材料组成的。有三个区域，中间的一层为（）。A 基区B 栅区C 集电区D 发射区
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考题 填空题晶体三极管是由（）个PN结组成，分成基区、发射区、集电区.
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